Organik yarıiletken/inorganik yarı iletken heteroeklem diyodunun elektriksel özelliklerinin incelenmesi

Bu çalışmada (100) doğrultusunda büyütülmüş özdirenci ?? 5-10 ? -cm olan boron katkılı p-tipi Si kullanıldı.Amacımız metal-yarıiletken Al/p-Si kontakların karakteristik parametreleri,arayüzey hallerinin enerji dağılımını belirlemek ve aynı şartlarda hazırlanmış diyotların engel yüksekliği ile idealite faktörleri arasındaki bağlantıyı araştırmaktır.Ayrıca bu yapıların elektriksel özelliklerinin incelenmesi ve karakteristiklerinin aydınlanma şiddetiyle ilişkisine açıklık getirebilmektir.Bu amaç için Al/Tips:Meppv/p-Si diyotunu kendi laboratuarımızda imal ettik. Yaptığımız HF'e daldırma metoduyla RCA kimyasal temizleme işleminin sonucunda silisyum kristalinin yüzeyi yoğun bir şekilde hidrit gruplarıyla kaplandı. Bu işlemden sonra silisyumun mat yüzeyine yüksek vakum altında Al buharlaştırılarak tavlama işlemi için N2 ortamında 5800 sıcaklıkta 3 dakika bekletilerek omik kontak yapıldı. Omik kontaklı Silisyumun parlak yüzeyine Tips:Mehppv organik film çözeltisinden birkaç damla damlatıldı ve kurumaya bırakıldı.Böylece organik film elde edildi.Elde edilen Tips:Meppv/p-Si yapısı üzerine yeniden yüksek vakum altında Al buharlaştırılarak Al/Tips:Meppv/p-Siyapısı elde edildi Bu diyotların karakteristik parametreleri(I-V) akım gerilim ölçümlerinden belirlendi.Bu ölçümler karanlıkta ,aydınlıkta ve farklı frekanslar için gerçekleştirildi .p-tipi Si yarıiletkenin yüzeyi hidrojenlendiğinden bu yapı doğrultucu özellik gösterdi.