Silisyum nanoyapı tabanlı gaz sensörü üretimi ve karakterizasyonu

Bu tez çalışmasında Silisyum nanoteller Metal Yardımlı Kimyasal Aşındırma yöntemi kullanılarak elde edilmiştir. Aşındırma işleminin ardından termal ALD kullanılarak ZnO ince filmleri Si alttaş yüzeyi üzerine biriktirilmiş ve yapının gaz sensörü özellikleri incelenmiştir. Bu amaçla Si alttaş 0.02 M AgNO3 çözeltisi içine 5, 10, 30 ve 60 dakika aşındırma süreleriyle daldırılmıştır. SEM görüntüleri kullanılarak aşındırma süresi ile nanotelin uzunluğu arasında lineer bir ilişki olduğu belirlenmiştir. Farklı aşındırma sürelerinde farklı uzunlukları olan nanoteller elde edilmiştir. Yaklaşık 24 nm kalınlığında ZnO ince filmleri 200 ALD döngüsü kullanılarak biriktirilmiştir. İnce filmler biriktirildikten sonra ALD ve XRD grafikleri tekrardan görüntülenip incelenmiştir. Yapının özellikleri belirlenip değerlendirildikten sonra termal buharlaştırma cihazı kullanılarak maske yardımıyla Si nanotellerden oluşan yapı üzerine Al buharlaştırılarak nokta kontaklar elde edilmiştir. Gaz sensörü ölçümleri için elde edilen bu nokta kontaklar sonucu ölçümler gerçekleştirilmiştir. Sonuç olarak üretilen bu yapının yüksek yüzey alanına sahip olmasından ötürü gaz sensörü özelliği sergilediği bulgusu elde edilmiştir. Anahtar Kelimeler: Silisyum nanotel, gaz sensörü, metal oksit, atomik katman biriktirme