V2O5 ince filmlerin saçtırma yöntemi ile biriktirilmesi ve diyot üretiminde kullanılması

Bu çalışmada V2O5 ince filmleri cam ve p-Si alttaşlar üzerine, reaktif saçtırma yöntemi ile biriktirilmiştir. Reaktif saçtırma işleminde V hedef metal kaynağı ve O2 gazı reaktif gaz olarak kullanılmıştır. Saçtırma işleminin ardından film kalitesini artırmak için filmler yüksek sıcaklıkta tavlanmıştır. ArdındanV2O5/p-Si yapısı üzerine Ag buharlaştırılarak diyot üretimi gerçekleştirilmiştir. Cam üzerine oluşturulan ince filmlerin optik özellikleri incelenmiş, filmin 600 nm'den daha büyük dalga boylarında %78 geçirgenliğe sahip olduğu belirlenmiştir. Soğurma-dalga boyu verileri yardımı ile ince filmin band aralığı 2.1 eV olarak hesaplanmıştır. Bu sonuç oluşturulan ince filmlerin V2O5 yapısına sahip olduğunu göstermiştir. Ag/V2O5/p-Si yapılarının oda sıcaklığında ve karanlıkta gerçekleştirilen akım-gerilim (I-V) ölçümleri yapının doğrultucu özelliğe sahip olduğunu göstermiştir. Ag/V2O5/p-Si diyotunun I-V ve kapasite gerilim (C-V) verileri ile yapının engel yüksekliği, idealite faktörü ve seri direnci gibi temel electronik parametreleri belirlenmiştir. Ag/V2O5/p-Si yapısnın engel yüksekliğinin klasik Ag/p-Si diyotundan daha yüksek olduğu ve V2O5 ara tabakası klasik metal-yarıiletken (MS) kontakların elektriksel özelliklerinin modifiye edilebileceği gösterilmiştir. Son olarak Ag/V2O5/p-Si diyotunun I-V ölçümleri farklı ışık yoğunluklarında güneş simülatörü altında tekrarlanmış ve ters beslem akımının ışık şiddeti ile arttığı, yani yapının fotodiyot özelliği gösterdiği ortaya konulmuştur.