RF magnetron saçtırma tekniği ile üretilen çinko oksit ve galyum katkılı çinko oksit ince filmlerin fiziksel özelliklerinin karşılaştırılması

Tez çalışmasında, radyo frekans (RF) magnetron saçtırma tekniği ile üretilen katkısız ve Ga katkılı çinko oksit (ZnO) ince filmlerin, yapısal, morfolojik, optik ve elektriksel özellikleri incelenmiştir. Yapısal incelemeler sonucunda katkısız ve Ga katkılı ZnO ince filmlerin XRD desenlerinin, hegzagonal wurtzite yapıda c-yönelime sahip olduğu gözlendi. Taramalı elektron mikroskobu (SEM) ile üretilen ince filmlerin yüzey görüntülerinin homojen, kompakt ve boşluksuz bir yapıya sahip olduğu gözlendi. Atomik kuvvet mikroskobu (AFM) ile üretilen numunelerin yüzey pürüzlülüğünün ortalama karekök değerleri (RMS) ölçülerek karşılaştırıldı. Ayrıca, optik analizler sonucunda, ince filmlerin yasak enerji aralığının Ga katkısı ile azaldığı belirlendi. Bunlara ek olarak, filmlerin elektriksel özellikleri de, dört nokta prob (four point probe) yöntemi ve sıcaklığa bağımlı iletkenlik ölçümleri karanlık ve farklı ışık yoğunlukları kullanılarak yapılmıştır.