1.796
Arşivlenen Tez
0
DOI Atanmış
0%
DOI Oranı
Anabilim Dalı
Cu2Zn(Sn:Ge)S4 ve Cu2Zn(Sn:Si)S4 soğurucu ince filmlerin üretilmesi ve karakterizasyonu
Fotovoltaikler güneş enerjisini doğrudan elektrik enerjisine dönüştüren aygıtlardır. Bu dönüşüm sayesinde güneş pili çalışmaları hız kazanmıştır ancak güneş pilleri ile üretilen elektrik üretimin maliyetinin yüksek olması ince film yarıiletkenlerin kullanılmasını arttırmıştır. İnce filmler, atom veya molekülün, kaplanacağı yüzeye ayrı ayrı dizilerek birkaç μm kalınlığında oluşan filmlerdir. Son zamanlarda, kalkojen ince filmlere kıyasla, doğada bol bulunması, toksik malzeme içermemesi 1.4-1.5 eV direkt bant aralığına ve 104 cm-1 gibi yüksek bir soğurma katsayısına sahip olmasından dolayı CZTS ince filmleri tercih edilmektedir. Bu çalışmanın amacı CZTS ince filmleri üretilirken (özellikle Sn yerine) yeni elementlerin etkisini deneysel ve teorik olarak ele alıp detaylı incelemektir. Yapılan çalışmada, Sn atomlarını Si ve Ge atomları ile yer değiştirmemizdeki amaç Cu2Zn(Sn:Si)S4 ve Cu2Zn(Sn:Ge)S4'deki üretim maliyetini azaltmak ve ışığın absorbsiyonunu artırmaktır. Cu2Zn(Sn:Si)S4 ve Cu2Zn(Sn:Ge)S4 ince filmleri PV sistemlerde daha etkin kullanılabilmesi amacıyla, dönel kaplama yöntemi ile Cu2Zn(Sn:Si)S4 ve Cu2Zn(Sn:Ge)S4 filmleri camlar üzerine oluşturulmuştur. Farklı ikame oranları (x=0, 0,25, 0,50, 0,75 ve 1) ve farklı H2S (30 ve 40 ccm) oranları ile oluşturulan Cu2Zn(Sn:Si)S4 ve Cu2Zn(Sn:Ge)S4 ince filmlerin yapısal, morfolojik ve optik özelliklerinin, üretim koşullarına bağlı değişimleri incelenmiştir. Oluşturulan ince filmlerin optik özellikleri ultraviyole ve görünür ışık absorbsiyon spektroskopisi (UV-VIS), yapısal özellikleri X ışını kırınımı (XRD) ve Raman spektroskopisi, morfolojik özellikleri ise Taramalı elektron mikroskobu (SEM), ve Atomik kuvvet mikroskobu (AFM) ile araştırılmıştır. Yapılan çalışmada, Ge'nin CZTS yapısına ikamesi ile filmlerin kristal boyutunun 32.15 ve 33.53 nm'den 15.67 ve 22.82 nm'ye düştüğü, daha fazla Ge ikamesinden sonra Cu2ZnGeS4 ince filmler için 36.39 ve 28.34 nm'ye kadar arttığı, ayrıca Cu2ZnGeS4 ince filmlerinin dislokasyon yoğunluğunun ve mikro gerinim değerlerinin ters özellikte olduğu belirlenmiştir. Örneklerin Raman spektrumları, yapılara Ge içeriği ekleyerek mavi kaymalı kesterit yapıların oluşumunu kanıtlamıştır. SEM görüntüleri, 30 ccm Ar:H2S akışı altında tavlanan film yüzeylerinin 40 ccm Ar:H2S akışı altında tavlanan film yüzeyine göre daha homojen olduğunu göstermiştir. SEM görüntülerinden elde edilen bulgular AFM görüntüleri ile doğrulanmıştır. CZTS ince filmlerinin optik bant aralığının Ge içeriği ile 1.53 eV'den 2.05 eV'ye yükseldiği görülmüştür. Si'nin CZTS yapısına ikamesi, XRD analizinde pikin ana tepe noktasında 28.52°'den 28.61°'ye bir kayma ile sonuçlandığını ve merkezin kristal boyutunu keskin bir şekilde azaltarak hem dislokasyon yoğunluğunu hem de gerinim değerlerini arttırdığını göstermiştir. Ayrıca Raman spektrumları ile ikincil fazların olmadığı da gözlemlenmiştir. SEM görüntülerinde, Cu2ZnSnS4 ve Cu2ZnSiS4 kristalitlerinin, ince film numunelerinin yüzeyi boyunca üniform olarak dağıldığı görülmüştür. Ayrıca Cu2ZnSiS4 örneğinin yüzeyinde, Cu2ZnSnS4 yüzeyine göre çok daha fazla ve küçük aglomerasyon olduğu belirlenmiştir. UV-vis ölçümleri, CZTS yapısındaki Si içeriğinin artmasıyla optik bant aralığında 1.51'den 3.22 eV'ye doğru bir artış ortaya çıkarmıştır. Sonuçlar, CZTS ince filmlerinin optik bant aralığının, herhangi bir ikincil faz elde etmeden yapıya Si ikamesi ile değiştirilebileceğini göstermiştir. Çalışma sonucunda, geleneksel CZTS yapılarına kıyasla Si ve Ge ikamesinin, daha yüksek bant aralıklı yarı iletkene ihtiyaç duyan çeşitli uygulamalarda kullanılabileceği gösterilmiştir.
Çoklu foton süreçlerini tek elektron yaklaşımıyla düşük frekans perspektifinden inceleme
Bu çalışmada temel olarak bir lazer alanı ile atomun etkileşmesi incelenmiştir. Flouqet metodu ile Pont ve ark. tarafından türetilen çift pertürbasyon yöntemi kullanılarak bir elektronlu bir atomik sistemin en basiti olan Hidrojen atomu için enerji seviyeleri elde edilmiştir. Bu yöntem ile Pont ve ark. düşük ω frekanslı kuvvetli bir alan tarafından ışınlanan bir atom için alternatif akım (AC) yarı-klasik enerji (quasienergy), ω^2 kuvvetlerine ve alan şiddeti F'ye bağlı katsayıları hesapladılar ve enerji özdeğerlerini bu katsayılar cinsinden ifade ettiler. Bu katsayılar β_2n^((2m)) şeklinde gösterilen reel ve atomik Hidrojen durumunda kesin olarak hesaplanabilen rasyonel sayılardır. Bu çalışma kapsamında bahsi geçen katsayıların analitik hesabı ayrıntılı olarak tekrarlanmış ve aşağıda tanımlanan parametreler kullanılarak bir elektromanyetik alan varlığında taban durumdaki atomik Hidrojen için ilgili katsayılar hesaplanmıştır. Pont ve arkadaşlarının ilgili çalışmasında alçak frekans bölgesinde F^2n'in n = 1 ve ω^2m frekansının m = 1 değeri için β_2n^((2m)) katsayılarında 〖Re(E〗_ac) değeri ile ilgili hesaplamalar 〖E_ac (F,ω)=Ʃ〗_m Ʃ_n β_2n^((2m)) F^2n ω^2m ifadesi kullanılarak seriye açılmıştır. Kullanılan alan şiddetinin I (intensity) değeri 〖10〗^13 W/〖cm〗^2 ve dalga boyu 616 nm dir. Bu alan için β değerlerini hesapladık. 616 nm dalga boyuna karşılık gelen ω=0.074 a.b frekans ve hesaplanan β değerlerini açtığımız seride Mathematica 12.3 yazılımı kullanılarak Pont ve ark. tarafından elde edilen 〖Re(E〗_ac)=-0.502776 değeri yeniden elde edilmiştir. Ek olarak aynı frekans ve yoğunluk bölgesinde F^2n'in bu defa n = 0 ve n = 1 değerleri dikkate alınmış ve ω^2m frekansının üssünde yer alan m çarpanının değerleri 0'dan 4'e kadar değiştirilmiştir. β_2n^((2m)) katsayılarında E_ac değerlerini aynı işlem basamaklarını tekrarlayarak kullandığımızda m'yi 0'dan 4'e doğru arttırdıkça 〖Re(E〗_ac) değerinde daha büyük kayma gözlenmiştir. Ancak m≥4 değerlerinin yarı-klasik enerjide oluşan kaymanın ihmal edilecek kadar küçük olduğunu anlaşılmıştır.
Tüm vücut cilt ışınlamalarında foton kullanımının dozimetrik değerlendirilmesi
Radyoterapi; Kutanöz T-hücreli Lenfomaların en bilinen alt tipleri olan Mikozis fungoides ve Sezary Sendromu'nun tedavisinde kullanılan ana tedavi seçeneklerden biridir. Mikozis fungoides tedavisinde tüm vücut cilt elektron ışınlaması uzun yıllardan beridir kullanılan özel bir radyoterapi tekniğidir. Çalışmamızda mikozis fungoides tedavisinde tüm vücut cilt helikal ışınlama tekniği kullanılarak kritik organ dozları, homojenite indeks ve konformite indeks dozimetrik değerlerin uygunluğu, ek olarak tedavi esnasında tüm vücut cilt helikal ışınlamanın hasta, çalışan ve fiziki koşullar açısından tüm vücut cilt elektron ışınlamasına karşı avantajları olup olmadığı araştırıldı. Merkezimizde bulunan Bilgisayarlı Tomografi cihazında erkek bir hastanın aksiel görüntüleri alınarak helikal tomoterapi cihazına ait MIM konturlama sistemine aktarıldı. MIM konturlama sisteminde hastaya ait kritik organlar, planlanan tümör volümü ve optimizasyonlar belirlendi. Hasta verileri tedavi planlama sistemine aktarılıp, hastaya toplam 36 Gy, 24 fraksiyonda ve fraksiyon başına 1.5 Gy olacak şekilde doz reçete edildi. Hastanın tedavi doz planı hazırlanıp kritik organ, homojenite indeks ve konformite indeks değerleri dozimetrik olarak incelendi. Helikal tomoterapi cihazının kendine özgü ışılama tekniği ve ek olarak çizilen optimizasyonlar hem kritik organ dozlarını, hem de ciltten 0.5 cm derinlikteki tüm yapıların dozlarını düşürmemize olanak sağladı. Doz volüm histogramında planlanan tümör volümü için D95, D90, Dmaks, Dmin ve Dortalama sırasıyla 34.33 Gy, 35.06 Gy, 42.65 Gy, 11.32 Gy, 36.93 Gy değerleri elde edilmiştir. Bizim çalışmamızdaki sağ ve sol parotis ortalama dozları sırasıyla 19.34 Gy ve 18.76 Gy olarak ölçülmüştür. Baş-boyun, toraks, batın ve pelvik bölgede bulunan kritik organ ortalama dozları sırasıyla 2.98 Gy ile 19.34 Gy, 3.73 Gy ile 8.20 Gy, 6.56 Gy ile 9.30 Gy, 2.78 Gy ile 6.76 Gy arasındadır. Homojenite indeks değeri International Commission on Radiation Units and Measurements 83 raporuna göre 0.15, konformite indeks değeri International Commission on Radiation Units and Measurements 62 raporuna göre 0.95 olarak hesapladı. Tüm vücut cilt helikal ışınlama hastanın tedavi esnasındaki konforu, başlangıç ölçümlerinin (doz profil ölçümleri, yüzde derin doz ölçümleri, absorbe doz kalibrasyonu, birleşik doz ölçümleri, tedavi derinliğinin belirlenmesi, tedavi süresinin belirlenmesi, X-ışını kontaminasyonu enerjisi ve miktarının ölçülmesi) olmayışı, tedaviye başlarken görüntü eşliğinde radyoterapi yapılabilmesi ve doz homojenliğinde iyileşme gibi değerler açısından tüm vücut cilt elektron ışınlamaya alternatif olabileceği görüldü. Anahtar Kelimeler: Mikozis Fungoides, Tüm Vücut Cilt Helikal Işınlama, Tüm Vücut Cilt Elektron Işınlama, Helikal Tomoterapi
Bazı kristallerin elastik ve titreşim özelliklerinin varshnı potansiyel fonksiyonu ile incelenmesi
BAZI KRİSTALLERİN ELASTİK VE TİTREŞİM ÖZELLİKLERİNİNVARSHNI POTANSİYEL FONKSİYONU İLE İNCELENMESİ(Yüksek Lisans Tezi)Mehmet Dinçer ŞAHMARANGAZİ ÜNİVERSİTESİFEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜOcak 2007ÖZETBu tezde, bazı fcc ve bcc metallerin örgü dinamiği Varshni Potansiyeli (VP)kullanılarak incelendi. İlk olarak; bazı fcc ve bcc metallerin Bulk modülününbasınçla değişiminin ï¦ ï¶B ï¶ , ikinci dereceden ( c11 , c12 , c44 ) ve üçüncüï§ ï·ï¨ ï¶P ï¸dereceden ( c111 , c112 , c123 ) elastik sabitleri gibi elastik özellikler, potansiyeliGirifalco-Weizer metoduna göre parametrize ederek incelendi. İkinci olarak; Nive Pd için VP'ni tanımlayan parametreler Halıcıoğlu ve Pamuk tarafındanverilen metoda benzer bir yol takip edilerek hesaplandı. Ni-45%Pd alaşımınıntemel simetri yönleri boyunca fonon frekansları kuvvet sabitleri kullanılarakhesaplandı. Son olarak bazı metallerin VP'nin parametreleri Milsteintarafından tanımlanan metot takip edilerek belirlendi. Hesaplanan kuvvetsabitleri Ni'in fonon frekanslarının belirlenmesinde kullanıldı. Teorik sonuçlar,deneysel fonon dağınımları ile karşılaştırıldı.Bilim Kodu :202.1.147Anahtar Kelimeler :Elastik özellikler, fonon frekansları, ikinci ve üçüncüdereceden elastik sabitleri,Sayfa Adedi : 57Tez Yöneticisi :Yrd. Doç. Dr. Gökay UĞUR
1,5 diaminopentan molekülünün titreşim spektrumlarının teorik yöntemlerle incelenmesi
1.5-DİAMİNOPENTAN MOLEKÜLÜNÜN TİTREŞİM SPEKTRUMLARININTEORİK YÖNTEMLERLE İNCELENMESİ(Yüksek Lisans Tezi)Erol ALBAYRAKGAZİ ÜNİVERSİTESİFEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜŞubat 2007ÖZETBu çalışmada, 1.5-Diaminopentan molekülünün en kararlı olduğu durumdakigeometrik parametreleri ve titreşim frekansları Gaussian 98 W programıyla teorikolarak hesaplanmıştır. Bu titreşim frekanslarının işaretlemeleri yapılarak frekanslaraait infrared şiddetleri belirlendi. Teorik olarak hesaplanan frekanslarla deneyselfrekanslar birbiriyle karşılaştırılarak korelasyon grafikleri çizildi. Bu grafikler yardımıile hesaplama metodları arasında karşılaşmalar yapıldı. B3LYP metodu ile yapılanhesaplamaların daha iyi sonuç verdiği gözlendi.Bilim Kodu : 202.1.008Anahtar Kelimeler : 1,5-Diaminopentan,İnfrared,BLYP,B3LYP,HFSayfa : 48Tez yöneticisi : Yrd.Doç.Dr.Akif ÖBAY
2-fenilfuran molekülünün yapısal, elektronik ve çizgisel olmayan optik özelliklerinin teorik incelenmesi
iv2-FENİLFURAN MOLEKÜLÜNÜN YAPISAL, ELEKTRONİK VEÇİZGİSEL OLMAYAN OPTİK ÖZELLİKLERİNİN TEORİKİNCELENMESİ(Yüksek Lisans Tezi)Yasemin ŞAFAKGAZİ ÜNİVERSİTESİFEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜOcak 2007ÖZETBu çalışmada 2-fenilfuran molekülü için yoğunluk fonksiyonu teorisi içindebulunan Becke'nin üç parametreli enerji fonksiyoneli (B3LYP), ikincidereceden Möller- Plesset pertürbasyon teorisi (MP2) ve Hartree-Fock (HF)metodu kullanılarak yapısal parametreler, elektronik ve çizgisel olmayan optiközellikler (NLO) tüm metodlar için 6-311++G(2d,p) temel seti ile hesaplandı.B3LYP/6-311++G(2d,p) yaklaşım metodunun üç farklı uygulamasında isegenellikle yakın sonuçlar gözlendi. Ayrıca B3LYP/6-311++G(2d,p) modelinin üçfarklı yaklaşımına (katı dönücü,FRZ1 ve FRZ2) ait hesaplamalar yapıldı vesonuçlar karşılaştırıldı. Ayrıca Möller-Plesset teorisi ve Hartree-Fockmetodunun, yoğunluk fonksiyonu teorisine göre birbirine daha yakın değerlerverdiği gözlenmiştir. Bu yöntemler arasındaki fark en çok HOMO-LUMOenerjileri hesabında ortaya çıkmıştır. Hesaplamalar GAUSSIAN 03W ileyapıldı.Bilim Kodu :202.1.008Anahtar Kelime : 2-Fenilfuran molekülü, B3LYP, PolarizebiliteSayfa Adedi : 90Tez Yöneticisi : Yrd. Doç. Dr. Mehmet BAHAT
Baryum çalkojenlerin termodinamik, elastik ve elektronik özelliklerinin AB initio yöntemle incelenmesi
ivBARYUM ÇALKOJENLERİN YAPISAL, TERMODİNAMİK, ELASTİK VEELEKTRONİK ÖZELİKLERİNİN AB İNİTİO YÖNTEMLE İNCELENMESİ(Yüksek Lisans Tezi )Ebru TUNÇELGAZİ ÜNİVERSİTESİFEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜOcak 2007ÖZETBu çalışmada baryum çalkojenlerin bazı yapısal termodinamik, elastik veelektronik özelikleri norm-conserving pseudo potensiyel ve yoğunlukfonksiyonel teorisine dayanan ab initio metodla hesaplandı. Her bileşiğin, ikifazı içinde örgü parametreleri, Debye sıcaklığı, erime sıcaklığı, elastik sabitleri,band yapıları, durum yoğunlukları hesaplandı ve mevcut deneysel ve teoriksonuçlarla kıyaslandı. Ayrıca elastik sabitlerin ve band aralığının basınç iledeğişimi incelendi. Kullandığımız metodun baryum çalkojenlerin buözelliklerini oldukça doğru bir şekilde tahmin ettiği görüldü.Bilim Kodu : 202.1.073Anahtar Kelimeler : Ab initio yöntem, Baryum çalkojenleri, norm-conserving pseudopotensiyel, yoğunluk fonksiyoneli teorisiSayfa Adedi : 108Tez Yöneticisi : Prof. Dr. Kemal ÇOLAKOĞLU
Kahramanmaraş-Minnetpınarı, Erzincan-Akmezar, Çilhoroz, Erzurum-Güllüdere, Tasmasor, Ardahan-Sazpegler kazılarında ele geçen Ortaçağ'a ait seramiklerin XRF ile araştırılması
ivKAHRAMANMARAŞ-MİNNETPINARI, ERZİNCAN-AKMEZAR,ÇİLHOROZ, ERZURUM-GÜLLÜDERE, TASMASOR, ARDAHAN-SAZPEGLER KAZILARINDA ELE GEÇEN ORTAÇAĞ'A AİTSERAMİKLERİN XRF İLE ARAŞTIRILMASI(Yüksek Lisans Tezi)Tuğba DORUGAZİ ÜNİVERSİTESİFEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜOcak 2007ÖZETBu çalışmada Orta Çağ'a tarihlenmiş altı farklı kazı bölgesinden ele geçen, 32adet sırlı ve sırsız seramik parçası XRF (X-ışını floresans) tekniği ileincelenmiştir. Seramikler,GÜ-ARÇED tarafından BTC-HPBH projesi çerçevesin-de KahramanMaraş-Minnetpınarı, Erzincan-Akmezar, Çilhoroz, Erzurum-Gül-lüdere, Tasmasor, Ardahan-Sazpegler bölgelerinde yapılan kazılar sonucu ele ge-çirilmiştir. Her kazı bölgesinin izinli örneklerine kantitatif, izinsiz örneklerine isekalitatif analiz uygulanmıştır. İzinli örneklerin sırları kazınarak kalitatif olarakincelenmiştir. Elde edilen kantitatif verileri kümelendirmek amacıyla SPSSistatistik programı kullanılarak Faktör Analizi ile HCA (Hiyerarşik KümelemeAnalizi) adında özel istatistik teknikler uygulanmıştır. Bu teknikler kazıbölgelerine tek tek ve tüm bölgelere toplu halde uygulanmıştır. Sonuçta MP-3,GD-1, AKM-1 kodlu numunelerin gruptan ayrıldığı görülmüştür. İki kazı bölgesiÇilhoroz ve Minnetpınarı seramiklerine XRD (X-ışını toz kırınım) tekniğikullanılarak minerolojik analizleri yapılmıştır. Mineral kompozisyonları kuvars,albit ve sadece ÇH-5 numaralı örnekte keatit minerali olarak gözlenmiştir.Yapılan kil analizinde illit ve kaolinit killeri belirlenmiştir.vSırlarda en baskın element olarak Pb gözlenmiş ve bunu Cu ve Fe elementleritakip etmiştir. XRF tekniği ile elde edilen sonuçlar, istatistik analizlerledeğerlendirilerek XRD ve arkeolojik yorumlarla desteklenmiştir. Tekniğimizinhızlı, hassas, ekonomik ve güvenilir olmasının yanında tahribatsız olmasıarkeolojik eserler için son derece uygun olduğunu göstermektedir.Bilim Kodu :202. 2.005Anahtar Kelimeler : X-ışınları floresans analizi, Seramik, Sır, Arkeometri,EDXRF spektrometresi, KahramanMaraş-Minnetpınarı,Erzincan-Akmezar, Çilhoroz, Erzurum-Güllüdere,Tasmasor, Ardahan-SazpeglerSayfa Adedi : 85viTez Yöneticisi : Prof. Dr. Pervin ARIKAN
Al0,43Ga0,57N süperörgülerinin yapısal ve optik özelliklerinin incelenmesi
Al0,43Ga0,57N SÜPERÖRGÜLERİNİN YAPISAL VE OPTİKÖZELİKLERİNİN İNCELENMESİ(Yüksek Lisans Tezi)Hüseyin TECİMERGAZİ ÜNİVERSİTESİFEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜOcak 2007ÖZETBu tez çalışmasında Bilkent Üniversitesi Nanoteknoloji Araştırma Merkezi'ndeMetal organik kimyasal buhar birikimi (MOCVD) tekniği ile büyütülen ikifarklı süperörgü Al0,43Ga0,57N/Al2O3 yarıiletken ince filmin yapısal ve optikselözellikleri yüksek çözünürlüklü X-ışını difraksiyon (HR-XRD) cihazı, atomikkuvvet mikroskobu (AFM) ve fotolüminesans (PL) kullanılarak incelendi.Alınan ölçümlerden numunelerin kalitesi ve yüzey morfolojisi belirlendi veliteratürle karşılaştırıldı.Bilim Kodu : 202.1.147Anahtar Kelimeler : AlGaN, HEMT, MOCVD, XRD, AFM, PLSayfa Adedi : 60Tez Yöneticisi : Prof. Dr. Süleyman ÖZÇELİK
Üç boyutlu blume-emery-griffiths modelin faz geçişleirinin cellular automaton ile simülasyonu
ivÜÇ BOYUTLU BLUME-EMERY-GRIFFITHS MODELİN FAZGEÇİŞLERİNİN CELLULAR AUTOMATON İLE SİMÜLASYONU(Doktora Tezi)Nurgül SEFEROĞLUGAZİ ÜNİVERSİTESİFEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜOcak 2007ÖZETBu çalışmada, 3-boyutta, ferromanyetik bilineer etkileşmeli BEGmodelin, Creutz cellular automaton algoritması temel alınarakgeliştirilen ısıtma algoritması kullanılarak simülasyonu gerçekleştirildi.â3 < D/J < 3 â 2 ⤠K / J ⤠0 parametre bölgesindeHesaplamalar, veL=12,16,18 ve 24 kenar uzunluğuna sahip basit kübik örgüler üzerindeyapıldı. Modelin faz yapısının tespit edilmesi amacıyla, termodinamikniceliklerinin sıcaklıkla değişimleri ile düzen parametresi olasılıkdağılımı(P(m)) incelendi. Hesaplamalar sonunda, modelin faz sınırlarınayakın belirli D/J ve K/J parametre değerlerinde, çeşitli ardışık vetekrarlayan faz geçişlerine sahip olduğu ortaya kondu. Bununla birlikte,sürekli faz geçişlerinde, sonlu örgü ölçekleme teorisi kullanılarak statikkritik üsler(ν, β, γ ve α) tespit edildi. Sonuç olarak, 3-d BEG modelin tümardışık ve tekrarlayan faz geçişlerinde evrensel davrandığı tespit edildi.Bilim Kodu : 202.1.147Anahtar Kelimeler : Blume-Emery-Griffiths(BEG) model, Creutz cellularautomaton, Ardışık ve tekrarlayan faz geçişleri,3-d.Sayfa Adedi : 103Tez Yöneticisi : Prof. Dr. Bülent KUTLU
Aşırı-soğuk gazda atomik(Rb+Rb, K+K, Rb+K) saçılma
AŞIRI-SOĞUK GAZDA ATOMİK(Rb+Rb, K+K, Rb+K) SAÇILMA(DOKTORA Tezi)M. Kemal ÖZTÜRKGAZİ ÜNİVERSİTESİFEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜOcak 2007ÖZET85Rb, 39K ve Rb-K izotop çarpışmalarıBu çalışmada aşırı düşük sıcaklıklardaiçin literatürde bulunan ab-initio potansiyellere uygun biçimde potansiyeldenklemleri uydurma yapılarak elde edilen etkileşme potansiyelini kullanarakBose-Einstein teorisi BEC'nin kararlı olup olmadığı bilgisini veren saçılmamesafesi ve bağlı durum ve bağlı olmayan durum arasındaki mesafeyi verenetki mesafesi nümerik ve yarıklasik metotlar ile hesap edildi ve deneyselsonuçlarla uyumluluğu test edildi. Düşük sıcaklıklarda atomik faz kaymasınınnümerik yöntemle doğrusallığı atom etkileşmeleri için gösterildi ve teorikdeğerlerle uyumluluğu tartışıldı. Saçılma mesafesi ve etki mesafesi yakınsaklığıSymskoviski ve Gao'nun formülleri ile test edildi. Ayrıca sıfır-enerji tesirkesitleri ve yük transferleri hesap edildi.Bilim Kodu :202.1.008Anahtar Kelimeler :Bose Einstein yoğuşma, Aşırı-soğuk, Potasyum,Rubidyum, Elastik saçılmaSayfa Adedi :135Tez Yöneticisi :Prof. Dr. Süleyman ÖZÇELİK
InGaP yarı iletkeninde mobilite analizi
InGaP YARIİLETKENİNDE MOBİLİTE ANALİZİ(Yüksek Lisans Tezi)Sedef Şebnem TUNALIOĞLUGAZİ ÜNİVERSİTESİFEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜOcak 2007ÖZETBu çalışmada MOVPE (metal organic vapor phase epitaxi) kristal büyütmeyöntemi ile GaAs üzerine büyütülen n tipi In0,5Ga0,5P yarıiletkeninin elektroniletim özellikleri araştırıldı. İletkenlik, Hall Mobilitesi ve taşıyıcı yoğunluğu 15-350 K sıcaklık aralığında ölçüldü. Hall Mobilitesi, ISBE ve iki bant modelikullanılarak analiz edildi. Hall taşıyıcı yoğunluğu ise Park modeli kullanılarakanaliz edildi. Alıcı ve verici safsızlık yoğunlukları ve verici aktivasyon enerjisitahmin edildi.Bilim Kodu : 202.1.003Anahtar Kelimeler : InGaP, Elektron İletimi, Hall Mobilitesi, ISBESayfa Adedi : 53Tez Yöneticisi : Prof. Dr. Tofig MAMMADOV
Dört boyutlu ısıng modelin (24) ve (24) örgülerinde Creutz cellular automaton ile incelenmesi
ivDÖRT BOYUTLU ISING MODELİN (24 )3 VE (24 )4 ÖRGÜLERİNDE4 4CREUTZ CELLULAR AUTOMATON İLE İNCELENMESİ(Yüksek Lisans Tezi)Turgay SEYDİOĞLUGAZİ ÜNİVERSİTESİFEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜOcak 2007ÖZETDört boyutlu Ising model (24)3 ve (24)4 sonlu örgüleri için Creutz ?Cellular4 4Automaton? ile simüle edildi. Simülasyonlar 720 000 zaman adımı üzerindenyapıldı. Kendiliğinden mıknatıslanma (düzen parametresi), manyetik alınganlıkve özısının kritik sıcaklıkları tespit edilerek statik kritik üsler bulundu ve dahasonra kritik üsler üç ve dört bitli demonlar için karşılaştırıldı.Bilim Kodu : 202.1.147Anahtar Kelimeler : Ising Model, Creutz Cellular Automaton, Kritik ÜslerSayfa Adedi : 45Tez Yöneticisi : Prof.Dr.Abdullah GÜNEN
Yerelleşmiş yüzey plazmon spektroskopisi ile yüzey plazmon rezonans spektroskopisinin sensör uygulamalarında karşılaştırmalı incelenmesi
Günümüzde kullanım alanları gittikçe artan, Yüzey Plazmon Rezonans Spektroskopisi (SPR) ve Yerelleşmiş Yüzey Plazmon Rezonans Spektroskopisi (LSPR); Nanoteknoloji, Biyosensörler, Kimyasal Sensörler, Malzeme bilimi, Tıp ve Sağlık, Çevre Bilimi, Kinetik Analiz ve Biyomoleküler Etkileşimler gibi pek çok uygulama alanına sahiptir. Hassasiyetleri ve özgüllükleri sayesinde bilimsel araştırmalar ve endüstriyel uygulamalar için vazgeçilmez araçlar haline gelmiştir. Metal bir yüzey ile dielektrik arayüzünde elektromanyetik dalga tarafından uyarılan bir plazmonun rezonansa girmesi ve belirli bir açıda gelen ışığın büyük bir kısmının yüzey plazmonları oluşturmak için kullanılması prensibine dayanan Yüzey Plazmon Rezonans Spektroskopisi (SPR), yansıyan ışığın minimum seviyeye düşüp yoğunluğunun bir dedektör tarafından ölçülmesini, aynı zamanda yüzeydeki biyomoleküler etkileşimleri etiketleme yapmaksızın tespit ve analiz edilmesini sağlar. Bir de özellikle nano ölçekteki metalik yapılar (genellikle altın veya gümüş) ile etkileşime giren ışık dalgalarının nanoparçacık yüzeyindeki elektronların topluca salınımının uyarılmasını inceleyen Yerelleşmiş Yüzey Plazmon Rezonans Spektroskopisi (LSPR), salınan elektronların rezonansa girmesi durumunda ışığın nanoparçacıklar tarafından absorbe edilmesi gibi optik özelliklerini araştırır. SPR ve LSPR'nin karşılaştırmalı incelenmesini konu alan bu çalışmada, öncelikle, harici bir ortama gömülü (yani vakum, gaz veya sıvı) nano boyutta y-yayılımlı z-polarizasyonlu ışınlanmış tek bir metal küre için, kullanılan lazer ışığının dalga boyu λ, ortamın dielektrik sabiti ε_0, kürenin dielektrik sabiti ε_1, kabul edilmek üzere bu küresel yapı için Yerelleşmiş Yüzey Plazmon Spektroskopisi (LSPR) teorik altyapısı incelenecek ve bu bağlamda ilgili Maxwell Denklemleri çözülüp bu iki yöntemin nano yapılara uygunluğu tartışılacaktır. Anahtar Kelimeler: Plazmon, Rezonans Spektroskopisi, Maxwell Denklemleri, Yerelleşmiş Yüzey Plazmon, Yüzey Plazmon
AlxGa1-xAs ve InxGa1-xN tabakalı yarı iletken yapıların optik ve yapısal özelliklerinin tayini
Bu çalısmada elektronik ve opto-elektronik cihazların üretilmesinde kullanılan AlxGa1-xAs/GaAs tek kuantum kuyulu (QW), AlxGa1-xAs/GaAs ve InxGa1- xN/GaN çoklu kuantum kuyulularının (MQWs) büyütülerek, optik ve yapısal özellikleri incelendi. AlxGa1-xAs/GaAs (100) LED Moleküler Demet Epitaksi (MBE) ile InxGa1-xN/GaN LED ise Metal Organik Buhar Faz Birikimi (MOVCD) teknikleri ile büyütüldü. Büyütülen AlxGa1-xAs/GaAs ve InxGa1- xN/GaN yarıiletkenlerinin kristal yapı analizi ve optik özellikleri Yüksek Çözünürlüklü X-Isını Kırınımı (HR-XRD), Atomik Kuvvet Mikroskobu (AFM), Spektroskopik Elipsometre (SE) ve Fotolüminesans (PL) sistemleriyle belirlendi. Anahtar Kelimeler :MBE, MOVCD, QW, MQW, AlxGa1-xAs/GaAs, InxGa1-xN/GaN
4-benzilpiperidin molekülünün titreşimlerinin teorik yöntemlerle incelenmesi
Bu çalısmada, 4-Benzilpiperidin molekülünün konfigürasyonu çizildi ve bu konfigürasyonun minimum enerji degeri degisik metot ve baz setleri için hesaplandı. Bu konfigürasyonun geometrik parametreleri ve titresim frekansları teorik olarak hesaplandı. Bu titresim frekanslarının isaretlemeleri yapılarak frekanslara ait nfrared ve Raman siddetleri belirlendi. Teorik olarak hesaplanan frekanslarla deneysel frekanslar birbirleriyle karsılastırılarak korelasyon grafikleri çizildi. Bu grafikler yardımı ile hesaplama metotları arasında karsılastırma yapıldı. BLYP metodu ile yapılan frekans hesaplamalarının HF ve B3LYP metodu ile yapılan hesaplamalardan daha iyi sonuç verdigi gözlendi.
Farklı oranlarda vanadyum katkısı yapılmış Bi-tabanlı yüksek sıcaklık süperiletkenlerinin üretimi, yapısal ve fiziksel özelliklerinin incelenmesi
Bu çalışmada, Bi2-xVxSr2Ca2Cu3O10+? (x= 0,1, 0,3 ve 0,5) süperiletken malzemesi, cam seramik metodu kullanılarak üretildi. Elde edilen cam numuneler 840 oC'de ısıl işleme tabi tutuldu. Örneklerin termal analiz (DSC, TGA), taramalı elektron mikroskobu (SEM), x-ışını toz difraksiyonu (XRD), ve Hall etkisi ölçümleri 60-300 K aralığındaki farklı sıcaklıklarda ve farklı manyetik alanlarda (0,2, 0,6, 1,0 ve 1,4 T) karakterize edildi. X-ışını analizi ile yapıların iki ana fazı (BSCCO 2212 ve 2223) olduğu belirlendi ve elde edilen verilerden bu yapılara ait örgü parametreleri hesaplandı. Örneklerin kristalleşme kinetikleri DSC tekniği ile araştırıldı. Kinetik parametreleri, izotermal olmayan JMAK metodu kullanılarak farklı ısıtma hızlarında hesaplandı. Kissinger metodu kullanılarak ekzotermik pikler için aktivasyon enerji değerleri 357,202 ? 390,66 kJ/mol aralığında bulundu.
BN nano tüpler içinde Ni nano telleri
Nano yapılar, bilimsel olarak ilgi çekici ve teknolojik olarak önemli bir alandır. Bu tezde, BN nanotüplerin geometrik yapıları elde edilerek içlerine Ni nanotelleri yerleştirildi. Bütün hesaplamalar, Castep paket programı ile GGAPBE ve 280 kesilim enerjisi kullanılarak yapıldı. Geometri optimizasyonu sonrası oluşan yapıların enerji bant yapısı ve elektron durum yoğunluğu incelendi.
1,2-BİS(2-piridil)etilen ve trans 1,2- BİS(4-piridil etilen moleküllerinin serbest halde ve kompleks yapıdaki titreşim frekanslarının hesaplanması
Bu çalısmada, Gaussian 98 ve Gaussview paket programlarının HF ve DFT / B3LYP, BLYP, B3PW91 fonksiyonellerinin 6-311G* temel seti ile Trans 1,2 bis(4-piridil)etilen (bpe1) ve 1,2 bis(2-piridil)etilen (bpe2) moleküllerinin geometrik optimizasyonu yapılarak yapısal parametreleri(bag uzunlukları, bag açıları) ve infrared ve Raman titresim frekans degerleri hesaplanmıstır. Teorik titresim frekans degerleri, moleküllerin KBr peleti içinde alınan deneysel infrared titresim frekans degerleri ile karsılastırılmıstır. Bunun için öncelikle bu iki molekülün ayrı ayrı üç boyuttaki yaklasık geometrisi Gaussview programında çizilmistir. Bu çizimler, Gaussian 98 paket programında giris verileri olarak kullanılmıstır. Elde edilen degerler, deneysel degerlerle karsılastırılmıstır. DFT/ B3LYP ve B3PW91 fonksiyonları ile hesaplanan titresim frekans degerlerinin ve geometrik parametrelerin deneysel degerlerle çok uyumlu oldugu görülmüstür. Bu çalısmanın deneysel kısmında ise, trans 1,2 bis(4-piridil)etilen (bpe1) ile Mn (bpe1)Cl2 , Mn (bpe1)Br2 , Mn (bpe1)I2 , Fe (bpe1)Cl2 , Fe(bpe1)Br2 , Fe(bpe1)I2 , Co(bpe1)Cl2 , Co(bpe1)Br2 , Co(bpe1)I2 , Ni(bpe1)Cl2 , Ni(bpe1)Br2 , Ni(bpe1)I2 ,Cu(bpe1)Cl2, Cu(bpe1)Br2, Cu(bpe1)I2, Zn(bpe1)Cl2, Zn(bpe1)Br2, Zn(bpe1)I2, Cd(bpe1)Cl2, Cd(bpe1)Br2, Cd(bpe1)I2, Hg(bpe1)Cl2, Hg(bpe1)Br2, Hg(bpe1)I2 olmak üzere 24 ve 1,2 bis(2-piridil)etilen (bpe2) ile Co (bpe2)Cl2 , Cu (bpe2)Cl2, Cu(bpe2)Br2, Cu(bpe2)I2, Zn (bpe2)Cl2, Zn (bpe2)Br2, Zn (bpe2)I2, Cd(bpe2)Cl2, Cd(bpe2)Br2, Cd(bpe2)I2, Hg(bpe2)Cl2, Hg(bpe2)Br2, Hg(bpe2)I2, olmak üzere 13 tane metal halojenli bilesik ilk kez elde edilmis ve titresimsel spektrumları incelenmistir. Deneyler Gazi Üniversitesi Fizik Bölümünün Arastırma Laboratuarlarında yapılmıs, IR spektrumları Kimya Bölümü'nde bulunan 4000-400 cm-1 aralıgındaki Mattson 1000 F-TIR spektrometresi ile çekilmistir. Frekanslar polystyrene bantlarla düzeltilmistir. Ayrıca bîlesiklerin C, H, N analiz sonuçları verildi. Elde edilen bilesiklerin titresim frekans degerleriyle serbest ligand moleküllerinin titresim frekans degerleri karsılastırıldı. Bilesiklerin titresim frekans degerlerinde serbest ligand degerlerine göre kaymalar oldugu belirlendi. Bu kaymaların metale baglı olarak degistigi ve ligandın iç titresimleri ile M-N bagı titresimleri arasındaki mekanik çiftlenimden kaynaklandıgı anlasıldı. Bilesiklerin spektrumları incelenerek, yapılarının tetrahedral oldugu belirlendi.
Plazmonik metal nanopartiküller üzerinde kataliz etkilerinin incelenmesi
Bu tez, Puls Lazer Biriktirme (PLD) yöntemiyle sentezlenen plazmonik altın (Au) ve gümüş (Ag) nanoparçacıkların fotokatalitik özelliklerini araştırmaktadır. Plazmonik nanoparçacıklar, lokalize yüzey plazmon rezonansı (LSPR) sayesinde ışık emilimini artırarak ve yük taşıyıcı dinamiklerini iyileştirerek fotokatalitik aktiviteyi geliştirme yetenekleriyle bilinmektedir. Au ve Ag nanoparçacıkları, lazer şiddeti, altlık sıcaklığı ve ortam gaz basıncı gibi kontrol edilen PLD parametreleri altında çeşitli altlıklara biriktirilmiş ve boyut, morfoloji ve dağılımlarının hassas kontrolü sağlanmıştır. Nanoparçacıkların yapısal ve optik özelliklerini değerlendirmek için UV-Vis spektroskopisi, X-ışını kırınımı (XRD) ve taramalı elektron mikroskobu (SEM) gibi karakterizasyon teknikleri kullanılmıştır. Sonuçlar, PLD sürecinin, plazmon rezonansı zirveleri ayarlanabilir, homojen nanoparçacıklar ürettiğini ve parçacık boyutu ile şeklinin fotokatalitik verimliliği optimize etmede kritik bir rol oynadığını göstermiştir. Au ve Ag nanoparçacıklarının fotokatalitik performansı, organik kirleticilerin ışık altında bozunması izlenerek değerlendirilmiştir. Plazmonik nanoparçacıklar, ışık emilimini artırarak ve elektron transfer süreçlerini teşvik ederek fotokatalitik reaksiyonları önemli ölçüde iyileştirmiştir. Bu çalışma, plazmonik nanoparçacıkların fotokatalitik uygulamalar için PLD ile üretilmesinde PLD'nin esnek ve hassas bir teknik olarak potansiyelini vurgulamaktadır. Bulgular, nanoparçacık özellikleri ile fotokatalitik performans arasındaki ilişkiye dair değerli bilgiler sunarak, enerji dönüşümü ve çevresel iyileştirme uygulamalarında etkili fotokatalizörlerin geliştirilmesine katkı sağlamaktadır.
Dönel kaplama yöntemi ile büyütülen Cu3SnS4 ince filmlerde tavlama süresinin filmlerin yapısal ve optik özellikleri üzerine etkisinin incelenmesi
Bu çalışmada, Cu3SnS4 ince örnekleri, 30 ve 40 sccm H2S:Ar (1:9) kükürt akışı kullanılarak, 550 °C'de kuvars fırınında azot gazı altında 15 ve 30 dakika süreyle farklı tavlama koşullarında dönel kaplama tekniğiyle kireç-taşı cam alttaşlar üzerine üretilmiştir. Örneklerin morfolojik, optik ve kristal özellikleri, sırasıyla AFM, UV-vis, fotolüminesans, XRD ve Raman analizlerini içeren farklı ölçüm sistemleri ile incelenmiştir. Cu3SnS4 ince filmleri için X-ışını kırınımı (XRD) desenleri, tüm ince filmlerin polikristal bir yapıya sahip olduğunu ortaya koymuştur. Cu3SnS4 ince filmlerin kristalit boyutu, dislokasyon yoğunluğu, mikro-gerilme ve kristalit sayısı, XRD spektrumlarından hesaplanmıştır. 30 sccm kükürt akışında 15 dakika tavlanan CTS-1 ince filmi, en iyi kristal yapıyı göstermiştir. ince filmlerin yüzeyinin küresel şekildeki mikro-kristal oluşumuna sahip olduğunu göstermektedir. Cu3SnS4 ince filmler incelendiğinde, filmlerin vadi ve tepe bölgelerinden oluştuğu ve vadi bölgesinin nispeten pürüzsüz olup, tepe bölgesinde ise belirli yönelimlere sahip kristal yapının oluştuğu görülmektedir. İnce filmlerin ultraviyole-görünür spektrofotometri (UV-Vis) ölçümleri, kükürt akışı ve tavlama süresi ile birlikte görünür ışık aralığındaki emilimin değiştiğini göstermiştir. Enerji bant genişliği 1.36 eV ile 1.96 eV arasında değişmiştir. CTS örneklerinin kırılma indeksi ve yüksek frekans dielektrik sabiti, Herve ve Vandamme, Moss ve Ravindra ilişkileri kullanılarak hesaplanmış ve bulunan değerlerin birbirleriyle uyumlu olduğu görülmüştür. PL spektrumu incelendiğinde, yaklaşık 1.41 eV ve 1.80 eV'de yer alan PL pikleri gözlenmiştir. 549 ve 567 nm dalga boylarında ve 689.42 ile 882.6 nm dalga boylarında bir yayılım bandı görülmüştür.
Alüminyum iridyum ve alüminyum rodyum alaşımlarının bazı termoelastik özelliklerinin moleküler dinamik simülasyon yöntemi ile incelenmesi
Bu çalı?mada, Al-Ir ve Al-Rh ala?ımlarının faz diyagramları (P-T eğrileri), bazı elastik ve termodinamik özellikleri ile metalik glas (camsı yapı) olu?umu, Gömülmü?-Atom Metod (EAM) Moleküler dinamik yöntem kullanılarak çe?itli sıcaklık ve basınç altında incelenmi?tir. Elde edilen sonuçların mevcut teorik ve deneysel değerlerle uyum içinde olduğu gözlenmi?tir.
(Al-TiW+PtSi)/n-Si Schottky diyotların elektriksel özelliklerinin frekans ve aydınlanma şiddetine bağlı incelenmesi
Bu çalısmada, magnetron sputtering yöntemi ile (Al-TiW+PtSi)/n-Si Schotty diyotları üretilmis ve bu diyotların akım-voltaj (I-V), kapasitans-voltaj (C-V) ve iletkenlik voltaj (G/w-V) ölçümleri oda sıcaklıgında, karanlıkta, ısık altında ve farklı frekanslar için gerçeklestirilmistir. Doyum akımı (I0), sıfır beslem engel yüksekligi (FBo), idealite faktörü (n) ve seri direnç (Rs) degerleri, sırası ile karanlıkta 4,2x10-10 A, 0,755 eV, 1,24 ve 896 ; aydınlıkta ise 7,47x10-10A, 0,740 eV, 1,18 ve 419,7 olarak bulunmustur. Ayrıca diyotun kırılma voltajının da 21 V civarında oldugu görülmüstür. Aydınlatma islemi (C-V) ve (G/w-V) egrilerinde ters beslem yönünde 150 mV civarında ve artan aydınlanma siddeti ile artan bir kaymaya sebep olmustur. Bu davranısın aydınlanma ile ara yüzey durum yogunluklarında degismeye neden olan metal yarı iletken arasında uyarılan sabit yüklerden kaynaklandıgı seklinde açıklanmıstır. Ayrıca seri direncin (Rs) aydınlanma ile azaldıgı ve kapasitan-voltaj (C-V) ve iletkenlik-voltaj (G/w-V) özelliklerinde anlamlı degisiklere neden oldugu görülmüstür. I-V özellikleri ideal davranısa sahip degildir ve idealite faktörü (n), yarı iletken ile dengede olan ara yüzey durum yogunluklarına (Nss) tarafından kontrol edilmektedir.
Bazı metal(II) halojenür 3-acetylpyridine bileşiklerinin titreşimsel spektroskopi ile incelenmesi
Bu çalışmada MX2L2 [M=Cd, Mn, Ni, Co, Cu, Zn ; X=Cl,Br,I ; L=C7H7NO (3-Acetylpyridine)] genel formülü ile verilen kompleksler ilk defa elde edildi. Komplekslerin IR spektrumları kaydedilerek 3-Acetylpyridine molekülüne ait titreşim frekans ve kipleri saptandı.Ligandın (3-Acetylpyridine) titreşim frekansları için işaretleme önerildi.Bileşiklerin 3-Acetylpyridine frekanslarında kompleks oluşumu nedeniyle serbest moleküle göre yüksek frekansa kayma gözlendi.Kaymaların metale ve halojene bağlı olarak değiştiği gözlendi.
Dış manyetik alanda Spin 1 Ising modelin cellular aurtomaton ile incelenmesi
Bu çalışmada, spin-1 Ising model için Creutz Cellular Automatandan geliştirilen bir algoritma kullanılarak k a,b ,g ,n ve d statik kritik üsleri hesaplanmaktadır. Hesaplamalar sonlu basit kübik örgülerde periyodik sınır şartı altında gerçekleştirilmiştir ve sonuçlar sonlu örgü ölçekleme teorisi kullanılarak değerlendirilmiştir. Özısı, düzen parametresi, manyetik alınganlık, kritik üs değerleri üç boyutta evrensel değerlerle (a = 0.12 , b = 0.31, g = 1.25,n = 0.64 ve d = 5 ) uyuşmaktadır
Elektron spin rezonans (ESR) yöntemi ile geriye dönük dozimetre çalışmaları
Bu çalışmada, 137Cs-? kaynağı ile ışınlanan bazı diş ve kemik örneklerinde oluşan serbest radikallerin dozimetrik özellikleri, Elektron Spin rezonans (ESR) tekniği ile incelendi. Gama kaynağında ışınlanan sekiz adet toz haldeki diş ve kemik örneklerine eklemeli doz metodu uygulandı. Işınlama aralığı 76,25 Gy ile 508,35 Gy arasındadır. Örnekler için ESR' de uygulanan ?eklemeli doz? metodu yardımıyla, her örnek için eşdeğer doz ( DE ) belirlendi. Dozu belirlemedeki yöntem analitik olarak geriye doğru tahmin yapılarak belirlendi. Daha sonra, bu doz değerlerinden faydalanarak örneklerin arkeolojik tarihlendirmesi yapıldı. ESR yaşı, yaklaşık olarak 10,4x103 yıl ile 54,6x103 yıl arasında bulundu. Eklemeli doz grafiğinden elde edilen en düşük ?eşdeğer? doz değeri 6,2 Gy' dir. Aynı tür örneklerden üç tanesi için sıcaklık çalışması 123K ile 400K arasında yapıldı. v ESR şiddetinin oda sıcaklığı civarında kararlı hale geldiği ve ışınlama sonucu oluşan CO2 radikalinin 12 saat sonra kararlı hale geldiği gözlenmiştir.
Halotiyofen moleküllerinin elekronik ve çizgisel olmayan optik özelliklerin teorik incelenmesi
Bu çalısmada tiyofen ve floro, kloro ve bromo tiyofen moleküllerinin elektronik ve çizgisel olmayan optik özellikleri yogunluk fonksiyonu teorisi içinde Becke'nin üç parametreli enerji fonksiyoneli B3LYP hibrid yaklasımı kullanılarak hesaplanmıstır. Hesaplamalarda 6-311++G(2d,p) temel seti kullanılmıstır. Hesaplamaların tamamı GAUSSIAN03W paket programı ile yapılmıstır. Tüm moleküler yapıların geometrik optimizasyonu yapılmıstır. Çizgisel olmayan optik özelliklerden statik polarizabilite (), anizotropik polarizabilite () ve statik hiperpolarizabilite () degerleri hesaplanmıstır. Elektronik özelliklerinden toplam elektronik enerji, dipol moment ve moleküler obital enerji farkları (HOMO-LUMO) hesaplanmıstır. Sonuçlar degerlendirildiginde statik polarizabilite maksimum oldugunda HOMO-LUMO enerji farkı minimum oldugu gözlenmistir. Polarizabilite ve anizotropik polarizabilite degerlerindeki artısın nedeni, atom yarıçaplarının artması yani büyük atomların polarlanabilirliginin daha fazla olmasındandır.
Sodyum klorür ve potasyum klorürün optik uyarmalı lüminesans (OSL) kinetiği
Tarihlendirme uygulamalarıyla popüler hale gelen Optik Uyarmalı Lüminesans (OSL) tekniği, son yıllarda dozimetri çalışmalarında yoğun olarak kullanılmaktadır. OSL sinyalinin bozunma şekli, doz ve sıcaklık bağımlılığı ve doz kararlılığı materyallere göre değiştiği için bu özelliklerin belirlenmesi materyal hakkında bilgi edinilmesi açısından önemlidir. Literatürdeki OSL çalışmalarında daha çok, iyi lüminesans özellikleri sergileyen kuvars ve sentetik materyaller kullanılmaktadır. Bu nedenle bu çalışmada ilk önce feldspat numuneler için kullanılan ELSEC-OSL 9010 Sayma Sistemi kuvars, Al2O3:C vb. gibi görünür ışıkla uyarılabilen materyallerden gelen OSL'yi ölçmek modifiye edilmiştir. Daha sonra klor bileşenli ticari kalitedeki Alkali Halojenür'lerin (özellikle NaCl ve KCl) bozunma eğrileri, doz cevapları, sıcaklık bağımlılığı ve doz kararlılığı gibi OSL özellikleri incelenmiştir. Eğri-fit, pik-şekil ve ilk-artış yöntemleri kullanılarak materyallerin OSL karakteristikleri laboratuvar radyasyon dozuna ve sıcaklığa bağlı olarak v incelenmiştir. Bu çalışmaların sonucunda NaCl'ün aktivasyon enerjisinin doz arttıkça azaldığı ve bozunma sabitinin farklı radyasyon tiplerinde farklı oranlarda azaldığı gözlenmiştir. Ayrıca NaCl'ün OSL sinyallerinin kullanılan diğer materyallerden daha kararlı, güvenilir ve kabul edilebilir olduğu görülmüştür. Anahtar Kelimeler : lüminesans dozimetri, infrared uyarmalı lüminesans (IRSL), mavi ışık uyarmalı lüminesans (BSL), eşdeğer doz (ED), aktivasyon enerjisi, termal tavlama
Plazmonik soy metal sensörlerin çalışma prensiplerinin incelenmesi
Bu tez çalışmasında, plazmonik özelliklere sahip soy metallerin özellikle altın (Au) ve gümüş (Ag) sensör teknolojilerinde kullanımına yönelik çalışma prensipleri detaylı biçimde incelenmiştir. Plazmonik soy metaller, yüzeylerinde meydana gelen kollektif elektron salınımları sayesinde çevresel kırılma indisindeki küçük değişimleri algılayabilme yeteneğine sahip olup, yüksek hassasiyetli algılama sistemlerinin temel bileşenlerini oluşturmaktadır. Bu bağlamda, sensör tasarımlarında yaygın olarak kullanılan iki temel optik etkileşim tipi olan Yüzey Plazmon Rezonansı (SPR) ve Yerelleştirilmiş Yüzey Plazmon Rezonansı (LSPR) ele alınmış, özellikle LSPR tabanlı sensörlerin yapısı, üretim süreci ve optik yanıtları analiz edilmiştir. Çalışma kapsamında, altın ve gümüş nanoparçacıklar cam yüzeyler üzerine Atımlı Lazer Biriktirme (PLD) yöntemiyle kontrollü olarak biriktirilmiş; elde edilen yüzeylerin morfolojik ve optik özellikleri çeşitli karakterizasyon teknikleri (SEM, EDS, UV-Vis, FTIR) ile incelenmiştir. Üretilen sensör yüzeyleri, farklı konsantrasyonlardaki biyotin çözeltileri ile etkileştirilerek, nanoparçacıkların çevresel kırılma indisindeki değişimlere verdiği spektral yanıtlar analiz edilmiştir. Ölçümler sonucunda, LSPR spektrumunda dalga boyu kaymalarının biyomolekül bağlanmasıyla doğrudan ilişkili olduğu belirlenmiş ve bu kaymaların sensör duyarlılığı açısından temel bir parametre olduğu ortaya konmuştur.
Lisanssız güneş enerji santrallerinin güneydoğu anadolu bölge özelinde verimlilik ve maliyet hesabı
Güneydoğu Anadolu bölgesi, güneş enerjisi potansiyeli açısından oldukça zengin bir bölgedir. Bu nedenle, lisanssız güneş enerjisi santralleri bölgede yaygın olarak kurulmaktadır. Rüzgar enerjisi potansiyeli de göz önünde bulundurulduğunda, rüzgar enerjisi santrallerinin de bölgede gelişmeye başladığı görülmektedir. Lisanssız enerji santralleri kurulumunda belirli prosedürler ve teknik gereksinimler bulunmaktadır. Bu gereksinimler, santralin kapasitesine, bağlantı şebekesine uyumuna ve çevresel etkilere dikkat edilmesine dayanmaktadır. Bölgede lisanssız enerji santralleri konusunda yatırım yapabilmek için yerel yönetmeliklere, mevzuata ve teknik detaylara dikkat etmek önemlidir. EPDK tarafından yönetmelikler yayınlanmakta ve hesaplamalar yönetmelik baz alınarak yapılmaktadır. Bu tez çalışmasında, Güneydoğu Anadolu bölgesinde güneş enerji santrallerinin çeşitleri, üretim destekleme bedelini karşılayan maliyet hesabı yapılarak güneş enerji panellerinin verimliliği tespit edilecektir. İllerin kendi üretim bedelleri mukayese edilerek iller arasında verimlilik tartışılacak ve mevsim geçişlerinin etkilerine bakılacaktır. Çalışma kapsamında elde edilen bulguların ülkemize katkı sağlaması hedeflenmiştir. Bu amaçla, çalışma sahasının illerdeki çeşitli santraller incelemeye tabi tutulmuştur. Çalışma kapsamında santrallerin çeşitleri iç ve dış yapısı incelenmiştir. Santrallerin maruz kaldığı sıcaklık, toz gibi çevresel koşullar incelenerek santrallerin verimliliğinin max seviyede olması amaçlanmıştır. Tez kapsamında yürütülen lisanssız santrallerin yapmış olduğu üretimlerin santral sahiplerine kazandırdıkları miktarlar hesaplanacak olup bölgemizde güneş enerjisinin katkısı tespit edilecektir. Bu tespitler sonucunda verimliliği etkileyen faktörler göz önünde bulundurularak yüksek verimlilik ile enerji tasarrufunu sağlayabilmek hedeflenmektedir. Güneş enerjisi, temiz enerji üretimi sayesinde çevresel sürdürülebilirlik açısından büyük önem taşımaktadır. Güneş enerjisi yatırımları, bölgesel enerji ihtiyacını karşılamak ve arz-talep dengesini sağlamak açısından stratejiktir. Bölgede gerçekleştirilen projeler, ülkemizin yenilenebilir enerji hedeflerine ulaşmasında önemli bir yer tutmaktadır. Çalışma sonucunda elde edilen bulgular, gelecekte yapılacak yatırımlara ışık tutarak enerji planlamasına katkı sağlayacaktır.
Metal katkılı CuO ince filmlerin yapısal, optik ve elektriksel karekterizasyonları
P-tipi yarı iletken özelliğe sahip etkili bir fotodedektör elde edilmesi, opto-elektronik uygulamalarda önemli bir rol oynamaya devam etmektedir. Bu çalışma, bizmut (Bi) katkı maddesinin bakır oksit (CuO) çözeltisine katkılanması ile elde edilen ince filmlerinin performansının iyileştirmesi amaçlanmaktadır. Katkısız bakır oksit ve %1, %2 ve %3 Bi katkılı bakır oksit ince filmleri, hava ortamında dönel kaplama metodu ile elde edilmiştir. Elde edilen ince filmlerin kristallografik, yüzeysel ve optik özelliklerini analiz etmek için ileri karakteristik analiz yöntemleri kullanılmıştır. X-ışını kırınımı (XRD) analizi, elde edilen örneklerin (-111) ve (200) tercihli yönelimlere sahip büyüme gösteren polikristal bir doğaya sahip olduğunu göstermiştir. %2 Bi katkılı CuO, diğer örnekler ile kıyaslandığında en homojen dağılımlı parçacık boyutu dağılımına sahipken, %3 Bi katkılı ince film ise, maksimum foton soğurma kapasitesini göstermiştir ve buna karşılık, %2 Bi katkılı ince film maksimum foton iletimi sağlamıştır. Elde edilen örneklerin doğrudan enerji bant aralığı değerleri 1,77 eV ile 1,94 eV arasında değişirken, %2 Bi katkılı CuO ince filminin ise, minimum kırılma indisine sahip olduğu belirlenmiştir. %2 Bi katkılı CuO heteroeklem fotodedektörü, maksimum tepki, foto-duyarlılık ve algılama değerlerine sahip olup, aynı zamanda da minimum yükselme ve düşme sürelerini sergilemektedir. Bu performans değeri, kristal yapının iyileşmesine yani daha büyük kristalit boyutuna, parçacık dağılımının daha homojen olmasına ve daha küçük tane sınırı yoğunluğuna bağlanabilir. Elde edilen bu bulgular, yüksek performanslı ve değiştirilebilir özelliklere sahip fotodedektörlerin elde edilmesi için önemli bir yol sunmaktadır. Dönel kaplama yöntemi kullanılarak kademeli bir biçimde 480 oC'de yaklaşık 1 saat boyunca tavlanan katkısız ve %3 Titanyum katkılı bakır oksit (CuO) ince filmleri cam altlıklar üzerinde oda sıcaklığında depolandı. Kristalit büyüklüğü titanyum katkısı ile (-111) yönelimli pik için 21,38 nm'den 30,31 nm'ye artarken, (200) yönelimli pik için ise 24,96 nm'den 25,54 nm'ye arttı. Ayrıca, AFM sonuçları incelendiğinde, elde edilen ince filmlerin yüzey özellikleri yapının homojen olmadığı göstermiştir. Sonuç olarak, titanyum katkısı, CuO ince filminin kristalit parametrelerini modifiye etmiş ve kristalit büyüklüğünü iyileştirmiştir. Anahtar Kelimeler: Bi ve Ti katkılı CuO, İnce film, XRD, Fotodedektör
Samaryum katkısının bakır oksit ince filmlerin fiziksel ve elektriksel özelliklerine etkisi
Bu çalışmada, farklı ağırlık oranlarında (0, 1, 2 ve 3 wt%) samaryum (Sm) katkılı bakır oksit (CuO) filmleri, dönel kaplama inc film elde etme yöntemi kullanılarak mikroskop camı cam altlıklar üzerine biriktirilmiştir. Çalışmanın amacı, farklı Sm katkı konsantrasyonlarının CuO'nun yapısal, yüzeysel ve optik özellikleri üzerindeki etkisini incelemektir. Filmlerin yapısal analizi X-ışını difraksiyonu (XRD) ile gerçekleştirilmiş ve filmlerin çok kristalli yapıda olduğu, (-111) kristalografik yönelimi boyunca tercihli bir yönelime sahip olduğu belirlenmiştir. Elde edilen samaryum katkılı CuO filmler için kristalit büyüklüğü ( D_hkl ), dislokasyon yoğunluğu (δ_hkl), FWHM (β_hkl) ve mikro-gerinim (ε_hkl) değerleri, XRD verileri kullanılarak değerlendirildi Örneklerin optik özellikleri UV–Vis spektrofotometresi kullanılarak karakterize edilmiştir. Kristalit büyüklüğü (-111) yönelimli pik için 30,04 nm'den 16,52 nm'ye düşerken, dislokasyon yoğunluğu değeri, 11,08 x 1014 m- 2'den 36,66 x 1014 m- 2'ye ve mikro gerinim değeri ise, 4,01 x 10-4'den 7,12 x 10–4'e yükselmiştir. (200) yönelimi için ise kristal büyüklüğü 27,78 nm'den 15,21 nm'ye düşerken, dislokasyon yoğunluğu 12,96 x 1014 m-2'den 43,25 x 1014 m-2'ye ve mikro gerinim değeri 4,22 x 10-3'den 7,12 x 10–3'e artmıştır. CuO için farklı bir morfoloji gözlenmiştir; yapılar daha çok yarı küresel biçimde olup, küçük topaklamalar göstermektedir. Elde edilen örneklerin yüzey davranışları, CuO yapısında Sm konsantrasyonunun önemli değişimlere yol açtığını ortaya koymaktadır. Elde edilen sonuçlar, Sm katkısının CuO'nun bant aralığı üzerinde belirgin bir etkisi olduğunu göstermiştir. Katkısız CuO ve %1, %2 ve %3 Sm katkılı CuO örneklerinin enerji bant aralığı sırasıyla 1,80, 1,90, 2,10 ve 2,20 eV olarak bulunmuştur. Elde edilen sonuçlara göre, CuO'ya eklenen Sm oranı %0'dan %3'e çıktıkça, bant aralığı değeri 1,80 eV'dan 2,20 eV'a kadar önemli bir artış göstermiştir. Katkısız ve Sm katkılı CuO filmlerinin kırılma indisleri ve dielektrik sabitleri Moss, Herve & Vandamme ve Ravindra yöntemleri kullanılarak hesaplanmıştır. Farklı yöntemlerle elde edilen hesaplama sonuçları tutarlıdır ve malzemenin optik karakterizasyonunun güvenilir olduğunu göstermektedir. Çalışma, filmlerin soğurma katsayısının katkılı Sm'nin parçacık boyutuyla ters orantılı olduğunu ortaya koymuştur. Sm ile katkılanmış filmler daha küçük parçacık boyutları göstermiş ve bu da soğurma katsayısında bir azalmaya neden olmuştur. Sönüm katsayısı açısından ise, katkısız CuO örneği, görünür bölgede diğer örneklere kıyasla belirgin bir pik göstermiştir ve bu durum bu bölgede daha güçlü bir soğurma olduğunu göstermektedir. Yüksek kristalin yapıya sahip olan katkısız CuO örneği, görünür bölgede daha yüksek foton enerjilerini soğurma eğiliminde olup, bu da düşük bant aralığı bölgesinde artan bir optik iletkenliğe yol açmıştır. Bu davranış, katkısız CuO örneğini, görünür spektrumda ışık soğurma açısından daha verimli hale getirmiştir. Buna karşın, Sm katkılı CuO filmler, daha düşük foton soğurması nedeniyle nispeten azalmış optik iletkenlik sergilemiştir. Genel olarak, bu çalışma Sm katkısının CuO filmlerinin yapısal ve optik özellikleri üzerindeki etkisini ortaya koymaktadır. Bulgular, CuO'nun Sm ile katkılanmasının malzemenin optik davranışını değiştirdiğini; katkısız CuO'nun görünür bölgede daha yüksek optik iletkenlik sergilediğini, ancak Sm katkılı CuO filmlerin optoelektronik ve güneş enerjisi uygulamaları için umut verici potansiyel taşıdığını göstermektedir. n-Si/CuO/Ag diyotunun lnI-V grafiğinden idealite faktörü n=2,84, engel yüksekliği; 0,793 eV ve kısa devre akımı ise, 5,4 x10-8 A, n-Si/%1Sm:CuO/Ag diyotunun grafiğinden idealite faktörü n=1,99, engel yüksekliği; 0,73 eV ve kısa devre akımı ise, 7,1 x10-7 A, n-Si/%2Sm:CuO/Ag diyotunun idealite faktörü n=2,84, engel yüksekliği; 0,793 eV bulunurken, n-Si/%3Sm:CuO/Ag diyotunun idealite faktörü n=2,57, engel yüksekliği; 0,725 eV ve kısa devre akımı ise, 6,9 x10-9 A bulunmuştur.
Cuo ince filmlerin bazı fiziksel özellikleri üzerine titanyum-zirkonyum katkısının etkisi
Bu çalışmada, katkı maddesi ilavesinin bakır oksit ince filmlerin yapısal özellikleri üzerindeki etkisini araştırmak amacıyla X-ışını kırınımı (XRD) analizleri gerçekleştirilmiştir. Katkısız, Zr ve Ti katkılı CuO ince filmler, 500 °C'de tavlanarak kristal yapıların oluşumu sağlanmış ve kristal özellikleri Rigaku Ultima III XRD cihazı kullanılarak detaylı biçimde analiz edilmiştir. Tüm örnekler, monoklinik yapıya sahip olup, polikristalin doğa sergilemiştir. Katkı maddelerinin varlığı temel faz yapısını bozmamış; CuO fazına ait karakteristik kırınım düzlemleri korunmuştur. Katkısız CuO filmlerinde (110), (−111) ve (200) düzlemlerine ait kırınım pikleri gözlemlenirken, katkı içeren filmlerde (−111) ve (200) düzlemlerine ait piklerin daha belirgin hale geldiği, ancak (110) düzlemine ait pikin şiddetinin azaldığı ve bazı örneklerde tamamen kaybolduğu görülmüştür. Bu durum, katkı maddelerinin kristal yönelim üzerinde etkili olduğunu ve yönelimli büyüme davranışını değiştirdiğini göstermektedir. (−111) ve (200) kristal düzlemlerine ait dislokasyon yoğunluğu ve mikro-gerinim değerleri, malzeme içerisindeki iç gerilimlerin ve kristal kusurlarının katkı türüne göre farklılık gösterdiğini ortaya koymaktadır. Elde edilen veriler doğrultusunda, mikro-gerinim değerlerindeki artışın kristalit boyutunda azalmaya neden olduğu belirlenmiştir. Bu durum, kristal yapı içerisinde biriken iç gerilimlerin kristal büyümesini kısıtlayarak daha küçük kristalitlerin oluşmasına yol açtığını göstermektedir. Dolayısıyla, kristalit boyutu ile mikro-gerinim arasında ters orantılı bir ilişki olduğu sonucuna varılmıştır. Bu araştırmada, katkısız, titanyum (Ti) katkılı, zirkonyum (Zr) katkılı ve Ti/Zr birlikte katkılanmış CuO ince filmlerinin optik özellikleri sistematik olarak incelenmiştir. İnce filmler, cam altlıklar üzerine yaygın olarak kullanılan ve üniform film oluşumu sağlayan dönel kaplama yöntemi ile biriktirilmiştir. Ti, Zr ve bu elementlerin birlikte katkılanması, CuO filmlerinin soğurma ve soğurma katsayısını azaltmış; bu da ışık geçirgenliğini artırarak ve yük taşıyıcılarının toplanmasını kolaylaştırarak fotovoltaik uygulamalar için uygunluklarını potansiyel olarak artırmıştır. Kırılma indisi, yüksek frekanslı dielektrik sabiti ve statik dielektrik sabiti gibi temel optik parametreler, Moss ilişkisi, Herve ve Vandamme modeli ile Ravindra denklemi gibi yerleşik teorik modeller kullanılarak hesaplanmıştır. Bu farklı teorik yaklaşımlardan elde edilen sonuçların güçlü bir uyum içinde olması, gerçekleştirilen optik karakterizasyonların sağlamlığını ve güvenilirliğini ortaya koymuştur. Değerlendirilen tüm örnekler arasında, katkısız CuO ince filmi, görünür spektrumda en yüksek soğurma katsayısını göstermiş ve bu da güneş enerjisi dönüşüm verimliliğini artırmak açısından temel bir faktör olan üstün ışık toplama kabiliyetine işaret etmiştir. Katkısız, %1 Zr, %1 Ti, %1 Zr+%1 Ti ve %1 Zr+%2 Ti oranlarında katkılanmış CuO ince filmler için, soğurma katsayısı ve foton enerjisi (hν) arasındaki ilişki, Tauc denklemi kullanılarak değerlendirilmiştir. 〖(αhν)〗^2–hν grafikleri yardımıyla optik bant aralığı değerleri belirlenmiş ve katkı oranlarına bağlı olarak 1,64 eV'den 2,09 eV'ye kadar bir artış gözlemlenmiştir. Bu bant aralığı genişlemesi, CuO kristal örgüsüne katkı maddelerinin başarılı bir şekilde nüfuz ettiğini ve bunun sonucunda taşıyıcı yoğunluğunda azalma meydana geldiğini göstermektedir. Yapısal kusurlar, tane sınırlarında meydana gelen değişiklikler ve kristal kalitesindeki iyileşmelerin de enerji bant aralığı üzerinde etkili olduğu değerlendirilmektedir. Ayrıca, katkı maddelerinin etkisiyle Fermi seviyesinin iletim bandına doğru kaymasına neden olan Burstein–Moss etkisi, görünen bant aralığının artmasında önemli bir rol oynamıştır. Bu etki, serbest taşıyıcı yoğunluğundaki artışa bağlı olarak daha yüksek enerjili fotonların soğurulması için gerekli kılmakta ve dolayısıyla optik bant aralığını büyütmektedir. Bant aralığına ek olarak, katkı maddelerinin CuO filmlerin optik geçirgenlik özellikleri üzerinde de belirgin etkileri olduğu gözlemlenmiştir. Özellikle %1 Zr + %2 Ti katkılı CuO ince filmde geçirgenlik, görünür bölgede yaklaşık %47 seviyelerine ulaşmış ve bu durum, fotovoltaik uygulamalar için önemli bir avantaj sağlamaktadır. Katkısız ve çeşitli oranlarda Zr ve Ti ile katkılanmış CuO ince filmler, n-tipi Si alttaşlar üzerine biriktirilerek heteroeklem diyot yapıları oluşturulmuş ve bu yapıların elektriksel özellikleri detaylı olarak incelenmiştir. CuO tabakasına %1 oranında Zr katkısı yapılmasının, diyotların doğrultma oranını artırdığını göstermiştir. Elektriksel karakterizasyon, Termiyonik Emisyon (TE) teorisi çerçevesinde gerçekleştirilmiş. İdealite faktörü, engel yüksekliği ve kısa devre akımı gibi parametreler hesaplanmıştır. Elde edilen sonuçlara göre, %1 Zr katkılı diyotta idealite faktörü 2,128; engel yüksekliği 0,689 eV; kısa devre akımı ise 2,1 × 10-9 A olarak bulunmuştur. Bu değerler, katkının taşıyıcı geçişi üzerindeki düzenleyici etkisini ve heteroeklemde potansiyel bariyer oluşumunu desteklediğini ortaya koymuştur. Diğer katkı türleri ve oranlarında da elektriksel iyileşmeler gözlemlenmiş olmakla birlikte, idealite faktörlerinin tüm örneklerde 1'in üzerinde olması, yapının ideal Schottky davranışından belirli sapmalar sergilediğini göstermektedir.
Kalay katkısının cuo ince filmlerin yapısal, optik ve elektriksel özelliklerine etkisi
Bu çalışmada, farklı katkı maddeleri ile zenginleştirilmiş bakır oksit (CuO) ince filmler, dönel kaplama yöntemi ile cam altlıklar üzerine biriktirilmiş ve 500 °C sıcaklıkta tavlama işlemi uygulanmıştır. Çalışmanın temel amacı, katkı maddelerinin CuO ince filmlerin kristal yapısı üzerindeki etkilerini X-ışını kırınım (XRD) analizleri aracılığıyla belirlemek, bu doğrultuda kristal büyüklüğü, kristal yönelimi, mikro-gerinim ve dislokasyon yoğunluğu gibi kristalit özellikleri incelemektir. XRD analizleri sonucunda katkısız ve katkılı tüm filmlerin monoklinik yapıya sahip, polikristalin özellik gösterdiği tespit edilmiştir. Katkı maddelerinin varlığı, XRD desenlerinde kırınım piklerinin şiddetinde ve konumlarında küçük kaymalara neden olmuştur. Bu kaymalar, katkıların kristal örgü parametrelerinde değişikliğe, iç gerilim oluşumuna ve kristal yöneliminde farklılaşmalara yol açtığını göstermektedir. Ayrıca piklerin keskinliğinde ve yoğunluklarında gözlemlenen değişiklikler, katkıların kristal büyümesi ve kristallenme kalitesi üzerinde etkili olduğunu kanıtlamaktadır. Optik soğurma analizleri, katkısız CuO ince filminin yaklaşık 374 nm dalga boyunda bir soğurma pikine sahip olduğunu göstermiştir. %1 mol Sm katkısı ile bu soğurma kenarında hafif bir kırmızıya kayma gözlenmiş ve pik 377 nm'ye kaymıştır. Bu kayma, tane boyutunda azalma ve kuantum sınırlama etkilerine işaret etmektedir. Gözlemlenen soğurma pikleri, parçacıklar içinde yüksek derecede yapısal düzen olduğunu ve metal iyonları arasındaki verici-alıcı etkileşimlerin malzemenin elektronik yapısını değiştirerek bant geçişleriyle ilişkili boyut-kantizasyon etkisine yol açtığını göstermektedir. UV bölgesinde ise katkısız ve katkılı örneklerde soğurma azalmakta ve zayıf bir soğurma piki eşlik etmektedir. Soğurmadaki azalma, malzeme içindeki yapısal kusurlar ve yeni moleküller arası bağların elektronik geçişlere etkisiyle ilişkilendirilmektedir. Dalga boyu arttıkça tüm örneklerde soğurmanın belirgin şekilde azalması, katkı maddelerinin CuO'nun yapısal ve optik özellikleri üzerinde önemli etkiler oluşturduğunu ortaya koymaktadır. Katkısız, samaryum (Sm) katkılı, kalay (Sn) katkılı ve Sm/Sn eş katkılı CuO ince filmlerin kristalografik, yüzeysel ve optikdavranışları araştırılmıştır. İnce filmler, dönel kaplama tekniği kullanılarak cam altlıklar üzerine üretilmiştir. Sm, Sn katkıları ve Sm/Sn eş katkısı, CuO ince filmlerin soğurma özelliklerini değiştirerek, bu malzemeleri güneş pili uygulamaları için daha uygun hale getirmiştir. Bu ince filmlerin optik özellikleri; kırılma indisi, statik dielektrik sabiti ve yüksek frekanslı dielektrik sabiti gibi çeşitli önemli parametreler hesaplanarak karakterize edilmiştir. Söz konusu değerler, literatürde yaygın olarak kullanılan Moss, Herve & Vandamme ve Ravindra bağıntıları kullanılarak hesaplanmıştır. Elde edilen sonuçlar, tüm yöntemler arasında iyi bir uyum göstermiş ve böylece verilerin tutarlılığı ve güvenilirliği doğrulanmıştır. İncelenen farklı bileşimler arasında, katkısız CuO ince film, görünür ışık bölgesinde en yüksek soğurma katsayısını göstermiştir. Bu bulgu oldukça önemlidir; zira yüksek soğurma katsayısı, daha iyi ışık soğurulması anlamına gelir ve bu da güneş pili verimliliğinin artırılması açısından kritik bir faktördür. Ayrıca, katkısız CuO ince film, daha düşük bant aralıklarında daha yüksek yüzey derinliği sergilemiştir; bu da malzemenin belirli uygulamalarda iyi bir performans göstereceğine işaret etmektedir. Bununla birlikte, katkısız CuO ince film, büyük bant aralığı bölgesinde en yüksek optik iletkenliği göstermiştir; bu özellik güneş pilleri ve fotodedektörler açısından oldukça avantajlıdır. Katkısız CuO ince filmin geliştirilmiş optik özellikleri, onu güneş pillerinde ve fotodedektörlerde aktif soğurucu katman olarak kullanılmak üzere ideal bir aday haline getirmektedir. Artan soğurma ve iletkenlik özellikleri, güneş enerjisinin daha verimli dönüştürülmesine katkı sağlayabilir ve bu sayede gelecekteki yenilenebilir enerji ihtiyacının karşılanmasında önemli bir rol oynayabilir. Sonuç olarak, bu çalışma Sm katkısı, Sn katkısı ve Sm/Sn eş katkısının CuO ince filmlerin optik özelliklerini iyileştirmede etkili bir strateji olduğunu ve bu sayede CuO'nun güneş pili uygulamaları için daha etkili bir malzeme haline gelebileceğini ortaya koymaktadır. Samaryum ve kalay katkısının farklı oranlarda CuO ince filmlerin yüzey morfolojisi üzerindeki etkileri incelenmiştir. Dönel kaplama yöntemi ile hazırlanan katkısız CuO, %1 Sm katkılı CuO, %1 Sn katkılı CuO, %1 Sn+%1 Sm CuO ve %1 Sm+%2 Sn katkılı CuOince filmlerin SEM analizleri gerçekleştirilmiştir. Elde edilen görüntülerde, katkısız CuO, %1 Sm katkılı CuO, %1 Sn katkılı ve %1 Sm+%2 Sn katkılı CuOnumaralı filmlerin pürüzsüz ve düzgün yüzey yapısına sahip olduğu ve alt tabakaya iyi yapıştığı belirlenmiştir. Özellikle %1 Sn katkılı CuO-3 filminde yoğun paketlenmiş bir topoloji ve artmış nanoparçacık kaplama oranı gözlemlenmiştir. Bu morfolojik değişimlerin, filmlerin özdirenç, taşıyıcı yoğunluğu ve hareketliliği gibi elektriksel özelliklerini etkilediği saptanmıştır. Ayrıca, CuO ve %1 Sm+%2 Sn CuO ince filmlerinde hafif topaklanma ve poligonal ile yarı-küresel nanoyapıların bir arada bulunduğu tespit edilmiştir.
Fcc Blume-Emery-Griffiths modelin faz uzayı üzerinde dipol-kuadrupol etkileşimin etkisi
Bu çalışmada, yüz merkezli kübik (Fcc) Blume-Emery-Griffiths modelin faz uzayı üzerinde dipol-kuadrupol etkileşimin etkisi Creutz cellular automaton algoritmasını temel alan ısıtma algoritması ile incelendi. Hesaplamalar kenar uzunluğu L=4, 6, 8, 9 ve 12 olan yüz merkezli kübik örgülerde periyodik sınır şartlarında gerçekleştirildi. İncelemeler sonucunda modelin ferromanyetik bölgede; ardışık, tekrarlayan, çift tekrarlayan ve çoklu faz geçişleri sergilediği ve üçlü kritik nokta, ikili kritik nokta ve kritik son nokta gibi çoklu özel noktalara sahip olduğu görüldü. Karışık dört kutuplu bölgede; A3B, AB ve AB3 yapısına sahip bölgeler tespit edildi. Yapılan incelemeler dipol-kuadrupol etkileşimin; faz geçişleri, kritik sıcaklıklar ve evrensel davranış üzerinde etkili olduğunu göstermiştir.
Bazı metal 2,2'-dipyridyl'in halojen birleşiklerinin infrared spektroskopisi ile incelenmesi
Bu çalışmada MX2L2 (M=Cd,Ni,Cu,Co; X= Cl,Br;L=2,2' dipyridiyl )genel formülü ile verilen metal halojen bileşikleri kimyasal yollardan ilk defa elde edildi. Elde edilen bileşiklerin infrared spektrumları 4000-400 cm-1 bölgesinde kaydedildi. Bu bileşiklerin C, H, N, analizlerinin sonuçları verildi. Serbest ligand molekülü ile bileşiklerde gözlenen ligandın titreşim frekansları karşılaştırıldı. Bileşiklerin ligand frekanslarında bileşik oluşumu nedeniyle, serbest ligand molekülünün titreşim frekans değerlerine göre kaymalar gözlendi.
Bazı ikili (CdS, CdSe, CdTe, CdF2, AlBi, BBi) bileşiklerin yapısal, elektronik, elastik, termodinamik ve titreşimsel özelliklerinin Ab initio yöntemle incelenmesi
Bu çalısmada bazı ikili bilesiklerin (CdS, CdSe, CdTe, CdF2, AlBi ve BBi) yapısal, elektronik, elastik, termodinamik ve titresimsel özelikleri normconserving pseudopotansiyel ve yogunluk fonksiyoneli teorisine dayanan ab initio metodla hesaplandı. Bilesiklerin örgü parametreleri, bant yapıları, elastik sabitleri, Debye sıcaklıkları, erime sıcaklıkları, ses hızları, Zener anizotropi faktörü, Young ve Shear modülleri, Poisson oranları, fonon dispersiyon egrileri ve durum yogunlukları hesaplandı. Elde edilen sonuçlar mevcut deneysel ve teorik sonuçlarla karsılastırıldı. Ayrıca, bant aralıgının, elastik ve termodinamik özelliklerin basınçla degisimi incelendi. Kullandıgımız metodun bilesiklerin özelliklerini oldukça dogru bir sekilde tahmin ettigi görüldü.
Embedded-atom modeli ile yapısal faz dönüşümleri ve elastik kararlılık
Embedded Atom Metodu (EAM) tipli çok cisim etkileşmeli potansiyel enerji fonksiyonu kullanılarak bazı f.c.c. kristallerin (Ir, Rh, Sr, Ca ve Pb) elastik ve mekanik özellikleri incelendi. EAM potansiyel modeli kullanılarak kararlılık ve faz geçişi hesabı yapıldı. Burada enerji, zor ve elastik modüllerinin a1 ile değişimleri incelenerek bu eğrilerden sıfır zordaki f.c.c. ve b.c.c. faza karşılık gelen örgü sabitleri, atomik hacim, kohesif enerji, enerji farkları ( E fcc -E bcc ) hesaplandı ve kararlılık bölgeleri belirlendi. Dördüncü bölümde EAM ile üçüncü- mertebe elastik sabitleri hesaplandı. Beşinci bölümde basınç- hacim davranışı incelendi ve deneysel verilerle kıyaslandı.
Bazı kozmetik ürün hammaddelerinin paramanyetik karakterizasyon ve dozimetrik özelliklerinin elektron paramanyetik rezonans spektroskopisi yöntemi ile belirlenmesi
Günümüzde kozmetik ürünlerin mikrobiyolojik güvenliği, hem tüketici sağlığı hem de ürün raf ömrü açısından büyük önem taşımaktadır. Bu bağlamda, mikrobiyal kontaminasyonun önlenmesi amacıyla kullanılan sterilizasyon yöntemleri arasında gama radyasyonu, etkili ve kalıntı bırakmayan bir seçenek olarak öne çıkmaktadır. Gama ışınlaması, özellikle toz formundaki kozmetik hammaddelerin sterilizasyonunda, yüksek penetrasyon gücü ve düşük sıcaklıkta uygulanabilirliği sayesinde tercih edilmektedir.Bu çalışmada, kozmetik endüstrisinde yaygın olarak kullanılan azelaik asit toz hammaddesinin gama radyasyonu ile sterilizasyonu incelenmiş; radyasyon uygulamasının azelaik asit örneğinde oluşturduğu paramanyetik merkezler ve dozimetrik özellikler, Elektron Paramanyetik Rezonans (EPR) spektroskopisi yöntemi ile değerlendirilmiştir. Gama ışınlarının, kristal yapı ve radikal oluşumu üzerindeki etkileri araştırılarak, radyasyonun hem sterilizasyon etkinliği hem de malzeme yapısı üzerindeki kimyasal etkileri ortaya konmuştur.Bu çalışma, hem kozmetik hammaddelerin güvenli sterilizasyonuna ışık tutmakta, hem de EPR spektroskopisinin radyasyon doz takibi ve paramanyetik değişim analizindeki etkinliğini vurgulamaktadır. Anahtar Kelimeler: Gama radyasyonu, Sterilizasyon, EPR spektroskopisi, Paramanyetik merkezler
Au/Bi4Ti3O12/SiO2/n-Si yapıların hazırlanması, elektriksel ve dielektrik özelliklerinin frekans ve sıcaklığa bağlı incelenmesi
Metal-ferroelektrik-yalıtkan-yarıiletken (MFIS) yapının, frekans ve sıcaklıga baglı kapasitans-voltaj (C-V) ve iletkenlik-voltaj (G/w-V) karakteristikleri, seri direnç (Rs) ve yüzey durum (Nss) etkileri dikkate alınarak, sırasıyla 1 kHz-5 MHz frekans ve 80-400 K sıcaklık aralıgında incelendi. Nss ve Rs degerlerinin önemli ölçüde frekans ve sıcaklıga baglı oldugu tespit edildi. Rs ve Nss'e baglı olarak Au/Bi4Ti3O12/SiO2/n-Si yapının C-V-f ve G/w-V-f karakteristikleri, özellikle düsük frekanslarda, genis bir frekans dagılımı göstermektedir, C-V-T ve G/w-V-T grafikleri dogru beslemde Rs ve Nss'e baglı olarak anormal pikler vermektedir. Bu piklerin pozisyonu yıgılma bölgesinden tüketim bölgesine yönelmekte, kapasitans ve iletkenligin maksimum degerleri artan sıcaklıkla artmaktadır. Ölçülen kapasitans (Cm) ve iletkenlik (Gm/w) degerleri MFIS yapının gerçek kapasitans ve iletkenligini bulmak için, seri direnç etkisinden dolayı düzeltilmistir. Her frekans için, Rs-V egrileri tersinim ve tüketim bölgeleri arasında anormal pikler göstermekte ve pik pozisyonları artan frekansla dogru beslem bölgesine kaymaktadır. C-2-V egrisinin, genis bir voltaj bölgesinde dogrusal olması, arayüzey durumlar ve tersinim tabaka yüklerinin, tüketim bölgesinde ac sinyali takip edemedigini göstermektedir. Nss artan frekansla eksponansiyel olarak azalmaktadır. C-V ve G/w-V karakteristikleri yarıiletkenle, yüzey durumlarının dengede olmasına baglı olarak beklenen v davranısı göstermektedir. MFIS yapı için dielektrik sabiti (G'), dielektrik kayıp (G'') ve dielektrik kayıp açı (tanI) arastırılmıs ve C-V ve G/w-V ölçümlerinden hesaplanmıstır. Dielektrik parametreler oldukça yüksek sıcaklıkta ve düsük frekanslarda, frekans ve sıcaklıga hassasiyet göstermektedir. G' ve G'' artan frekansla azalırken, artan sıcaklıkla artmaktadır. Arayüzey kutuplanması düsük frekanslarda daha kolay gerçeklesebilmekte ve yarıiletken/yalıtkan arayüzeyinde arayüzey durum yogunlugu sayısı, MFIS yapının dielektrik özelliklerinin iyilestirilmesine katkı saglamaktadır.
Schottky diyotların elektriksel karakteristiklerinin sıcaklığa bağlı incelenmesi
Bu çalışmada, Al/SiO2/p-Si Schottky diyotlarının akım-voltaj(I-V) karakteristikleri 295-400 K sıcaklık aralığında incelendi. Deneysel doğru belsem I-V karakteristiklerinin Termiyonik emisyon (TE) teorisine göre analizi, sıfır beslem engel yüksekliğinin ?B0 nın artan sıcaklıkla artarken idealite faktörünün azaldığını göstermiştir. Bu davranışlar, metal yarıiletken ara yüzeyinde engel yüksekliğinin Gaussyen bir dağılımına atfedildi. Gaussyen dağılımına bir delil olarak ?B0 - q/2kT grafiği çizildi ve bu grafikten ?Bo=1.18 eV ve standart sapma ?o=0.1386 V olarak elde edildi. Bu standart sapma değeri kullanılarak modifiye Richardson grafiğinden elde edilen Richardson sabitini 33.26 A/cm2K2 değeri 32 A/cm2K2 değerine oldukça yakındır. Aynı zamanda ara yüzey durumlarının enerjiye göre (ESS-EV) dağılım profili doğru belsem I-V ölçümlerinden voltaja bağlı etkin engel yüksekliği değeri kullanılarak elde edildi ve bu yüzey durumlarını artan sıcaklıkla azaldığı gözlendi. Buna ilaveten C-2-V grafiğinden , diffizyon potansiyeli (Vd), engel yüksekliği (??) ve ? tüketim tabakasının genişliği (WD) 500 kHz için oda sıcaklığında hesaplandı.
LHC ve VLHC bazında lepton-hadron çarpıştırıcıları: e-linak ile e-halka karşılaştırılması
1 TeV'den büyük kütle merkezi enerjisine sahip lepton hadron çarpıstırıcıları hem kuvvetli etkilesmelerin temel yönlerini açıklamak hem de çoklu-TeV Büyük Hadron Çarpıstırıcısının (LHC) deneysel verilerini yorumlamak için gereklidir. LHC ve VLHC tünellerinde elektron halkasının eklenmesi birçok teknik problemlere neden olabilir. Tezde gösterildigi gibi, linaklar daha kısa uzunluk ile aynı elektron demet enerjisi elde etmeye fırsat verecektir. Bugün QCD Arastırıcısı ve LHeC isimli iki gerçekçi proje vardır. Hem QCD-E hem de LHeC'de kuvvetli etkilesmeleri arastırmak için yeterince yüksek ısınlık degerine ulasmaya fırsat verecektir. QCD-E projesinin bir dizi avantaja sahip oldugu gösterilmistir. QCD-E ve LHeC projelerinin her ikisinin de ana amacı kuvvetli etkilesmelerin temel yönlerini açıklamaktır. Bunların Standart Model Ötesi fizik arastırmaları kapasitesi kütle merkezi enerjisi ile sınırlandırılır. Böylece çok yüksek ısınlık degeri önemli degildir. QCD-E için agır kuark çift üretimi incelenmistir ve bu sürecin küçük xg bölgesi için önemi gösterilmistir. Anahtar Kelimeler : QCD, LHC, VLHC, lepton hadron çarpıstırıcıları
Urfa teleilat kazısından ele geçen demir ve neolitik çağlara ait arkeolojik çanak-çömlek buluntularının XRF tekniği ile incelenmesi
Bu çalısmada , iki farklı kazı bölgesinden ele geçen ; Demir ve Neolitik Çag'a tarihlenmis 23 adet seramik parçası ile Kalkolitik ve Tunç Çagına tarihlenmis 25 seramik parçası , X-ısını floresans spektrometresi ile kalitatif ve kantitatif analiz yapılarak incelenmistir. Bu örneklerden Demir ve Neolitik Çag Seramikleri, Sanlıurfa ili, Birecik ilçesinin güneyinde ve Kargamıs Barajı etki alanı içinde kalan Mezra-Teleilat kazısından ele geçirilmistir. Digerleri de aynı bölgede Mezra Höyük kazısından ele geçirilmistir. Seramikler, incelenmek üzere Gazi Üniversitesi Arkeolojik Çevre Degerleri Arastırma Merkezi (ARÇED) `den alınmıstır. Elde edilen kantitatif verileri kümelendirmek amacıyla SPSS istatistik programı kullanılarak Faktör Analizi ile HCA (Hiyerarsik Kümeleme Analizi) adında özel istatistik teknikler uygulanmıstır. Bu teknikler, kazı bölgelerine tek tek ve tüm numunelere toplu halde uygulanmıstır. Mezra Höyük örnekleri kontrol grubu olarak kullanılmıstır. Sonuçta T-2.11, T.1.19, T-1.23 ve T-2B2 kodlu numunelerin gruptan ayrıldıgı görülmüstür. Ayrıca 9 adet seramik parçasına XRD (X-ısını toz kırınım) teknigi kullanılarak minerolojik analizleri yapılmıstır. Mineral kompozisyonlarında kuvars, allofan minerali ve genel olarak amorf bir yapı gözlenmistir.Yapılan kil analizinde illit ve kaolinit killeri belirlenmistir. Sonuçların arkeolojik bulgularla uyum içinde oldugu görülmüstür.
Al0,2Ga0,8As/GaAs çoklu kuantum kuyusunun yapısal ve optik özelliklerinin incelenmesi
Bu tez çalışmasında Al0,2Ga0,8As/ GaAs çoklu kuantum kuyusu (MQW) Moleküler Demet Epitaksi (V80H-MBE) ile büyütüldü. Büyütülen Al0,2Ga0,8As/ GaAs bileşik yarıiletkeninin kristal yapı analizi ve optik özellikleri Yüksek Çözünürlüklü X-Işını Kırınımı (HR-XRD), Spektroskopik Elipsometre (SE) ve Optik Mikroskop sistemleriyle belirlendi.
Kalsiyum dinamiği
Bu çalışmada sinir hücrelerinde sinaptik iletimin nasıl oluştuğu ve sinaptik iletimde kalsiyum iyonlarının N-metil D-aspartat (NMDA) kanalları boyunca nasıl iletildiği incelendi. Markov Modeli kullanılarak sinir hücresine kalsiyum giriş çıkışının matematiksel eşitlikleri çalışıldı. Yeni çözümler bilinen sonuçlarla karşılaştırıldı. Anahtar Kelimeler : Kalsiyum dinamiği, sinaptik iletim, aksiyon potansiyeli, difüzyon denklemi, kalsiyum akımı
Arkeolojik örneklerin infrared uyarmalı lüminesans (IRSL) kullanılarak tarihlendirilmesi
Feldspat örneklerin tarihlendirilmesinde infrared uyarmalı lüminesans (IRSL) rutin olarak kullanılmaktadır. Bu çalışmada, Bakü-Tiflis-Ceyhan Ham Petrol Boru Hattı Projesi (BTC HPBH) Büyükardıç-Erzincan arkeolojik kurtarma kazısından alınan çömlek parçasının IRSL yöntemiyle tarihlendirilmesi yapılmıştır. IRSL yöntemi ile tarihlendirme işleminin en önemli adımları, eşdeğer doz ve yıllık doz tespitidir. Eşdeğer dozun belirlenmesinde, çok-tablet ve tek-tablet olmak üzere iki potansiyel yaklaşım kullanılmıştır. Tek-tablet işleminde yeniden oluşturma yöntemi kullanılmış olup, ortalama ve maksimum sayımlar için eşdeğer doz elde edilmiştir. Çok-tablet işleminde ilave doz yöntemi kullanılarak eşdeğer doz elde edilmiştir. Her iki yöntem ile elde edilen eşdeğer doz değerlerinin kendi aralarında uyumlu olduğu gözlenmiştir. Son zamanlarda, eşdeğer doz tespiti için yapılan çalışmalarda farklı yöntemler geliştirilmektedir. Bu çerçevede çalışmamızda çok-tablet sürekli dalga optik uyarmalı lüminesans (CW-OSL) bozunum eğrilerinde, yavaş bileşenlerin eşdeğer doza katkısı incelenmiştir. Ayrıca CW-OSL'den lineer modülasyon optik uyarmalı lüminesansa (LM-OSL) bir geçiş uygulaması yapılmıştır. Daha sonra LM-OSL uygulaması sonucunda yavaş bileşenlerin eşdeğer doza katkısı incelenmiştir. CW-OSL ve LM-OSL yavaş bileşenlerinden elde edilen eşdeğer doz değerleri, tek-tablet ve çok-tablet prosedürlerinden elde edilen eşdeğer doz değerlerine yakındır. Fakat LM-OSL tekniği sonucu, CW-OSL'den daha v başarılıdır. Çömlek parçasının belirlenen yaş değeri, Erken Demir Çağı dönemi aralığı içerisine karşılık gelen 2640 ile 3320 yılları arasında değişiklik göstermektedir.
Halofuran moleküllerinin elektronik ve çizgisel olmayan optik özelliklerinin teorik incelenmesi
Bu çalısmada halofuran moleküllerinin elektronik ve çizgisel olmayan optik özellikleri yogunluk fonksiyonu teorisi içerisinde Becke' nin üç parametreli enerji fonksiyoneli B3LYP hibrit yaklasımı kullanılarak hesaplandı. Hesaplamalarda yogunluk fonksiyoneli teorisi için 6-311++G(2d,p) temel seti kullanıldı. Moleküllerin geometrik optimizasyonları yapılarak elektronik enerjileri, dipol momentleri, moleküler orbital enerji farkları (HOMO-LUMO) ve statik polarizebilite, anizotropik polarizebilite ve statik hiperpolarizebiliteleri hesaplanmıstır. Hesaplamalarda Gaussian 03W paket programı kullanılmıstır. Hesaplamalarımızda furan molekülü için elde ettigimiz elektronik enerji degerleri daha önce hesaplanan degerlere çok yakındır. Statik polarizebilite maksimum oldugunda HOMO-LUMO enerji farkı minimumdur. Polarizebilite ve anizotropik polarizebilite degerlerindeki artısın nedeni, atom yarıçaplarının artması yani büyük atomların polarlanabilirliginin daha fazla olmasındandır.
RF püskürtme metodu ile hazırlanan SiO2 arayüzeyli metal-yarı iletken kontaklarda parametrelerin belirlenmesi
Bu çalışmada, Al/n-Si/SiO2/Au yapının temel parametreleri frekans (50 kHz-5MHz) ve sıcaklığa (80 K-390K) bağlı incelendi. Al/SiO2/n-Si/Au yapının farklı frekanslar ve farklı sıcaklıklarda sığa-gerilim (C-V), iletkenlik-gerilim (G/w-V) ve akım-gerilim (I-V) ölçümleri gerçekleştirildi. C-V, G/w-V ve I-V ölçümlerinden yapının engel yüksekliği (?B), seri direnci (Rs), Fermi enerjisi (Ef), idealite faktörü (n) ve arayüzey durum yoğunluğu (Nss) sıcaklığa ve frekansa bağlı olarak belirlendi. Yapılan deneysel ölçüm ve hesaplamalar, bu tip yapıların hemen hemen tüm parametrelerinin yapıdaki arayüzey durum yoğunluğuna, seri dirence, uygulanan d.c. gerilime, frekansa ve sıcaklığa bağlı olduğunu göstermiştir. Anahtar Kelimeler : MIS yapı, MOS yapı, SiO2, idealite faktörü, arayüzey durum yoğunluğu
Güçlendirilmiş üçlü kompozitlerin gama radyasyonu zırhlama özelliklerinin belirlenmesi
ÖZET Bu çalışmada; radyasyon zırhlama özelliklerini geliştirmek amacıyla doymamış polyester tabanlı ve inorganik bileşikler ile katkılanmış polimer kompozitler hazırlanmış ve bunların gama radyasyonu zırhlama özelikleri incelenmiştir. Bağlayıcı olarak doymamış polyester reçinenin, dolgu malzemesi olarak da ferro-krom ve manganez (Mn), molibden disülfür (MoS2) veya bizmut oksiklorür'ün (BiOCl) kullanıldığı üçlü kompozitler üretilmiştir. Doymamış polyester reçine, kobalt oktoat (%6) ve metil etil keton peroksit kullanılarak polimer matriks elde edilmiştir ve dolgu malzemeleri belirli oranlarda bu polimer matrikse katkılanmıştır. Üretilen kompozitlerin radyasyon zırhlama özelliklerini incelemek için radyasyon koruma verimi, radyasyon geçirme oranı, kütle ve lineer azaltma katsayıları, yarı kalınlık değeri, onda-bir kalınlık değeri, ortalama serbest yol, moleküler, atomik ve elektronik tesir kesitleri, etkin atom numarası, etkin elektron yoğunluğu ve etkin iletkenlik parametreleri belirlenmiştir. Deneysel çalışmalar 276,4 keV ile 1332,5 keV foton enerjisi aralığında 22Na, 60Co, 133Ba ve 137Cs radyoaktif kaynaklarından yayımlanan dokuz farklı enerjide ve HPGe detektörü yardımı ile gerçekleştirilmiştir. Elde edilen deneysel sonuçlar, WinXCOM kullanılarak oluşturulan teorik sonuçlar ile karşılaştırılmıştır. Radyasyon zırhlama parametreleri orta ve yüksek enerji bölgelerinde incelendiğinde, FeCrBi50 ile kodlanmış polimer kompozitin diğerlerine göre daha iyi bir radyasyon zırh malzemesi olduğu yapılan çalışmalar sonucunda bulunmuştur. Anahtar Kelimeler: Radyasyon zırhlama; HPGe detektör; WinXCOM; Polimer kompozit; manganez; molibden disülfür; bizmut oksiklorür.
Organik arayüzeyli fotodiyot verimliliği, stachys lavandulifolia bitkisinin değerlendirilmesi ve analizi
Bu çalışmada yaygın olarak pembe pamuklu kuzukulağı olarak adlandırılan Stachys lavandulifolia bitkisinin özünden elde edilen solisyonun arayüzeyde kullanılması ile bir fotodiyotun fabrikasyonu gerçekleştirildi. Yapılan bu aygıtın arayüzey organik malzemenin optik özellikleri 180-900 nm dalga boyu aralığında alınan U-V ölçümleri ile absorbans pik değeri 330-340 nm dalga boyunda ve yasak enerji aralığı 3,2 eV olarak hesaplandı. Döndürme metodu ile p-Si parlak yüzeyine 60 s 1400 rpm'de ince film şeklinde kaplandı. Yüzey pürüzlülüğüne atomik kuvvet mikroskobu ile bakıldı. Elde edilen aygıtın fotovoltaik performansını anlayabilmek için karanlık ve güneş simülatörü ile 30-100 mW/cm2 arasında farklı ışık şiddetleri altında elde edilen akım-gerilim (I-V) karakteristiğinden engel yüksekliği, idealite faktörü, seri direnç, şönt direnç ve doğrultma oranı parametreleri hesaplandı. Karanlıkta diyotun idealite faktörü 1,43 olarak idealliğe en yakın değer olarak elde edildi. Farklı bir diğer hesaplama ise 30-100 mW/cm2 ışık şiddeti altında akım-gerilim ölçümlerinden elde edilen kısa devre akımı (Isc), açık devre gerilimi (Voc), maksimum akım (Imax), maksimum gerilim (Vmax), dolum faktörü (FF) ve güneş enerji verimi (η) değerleri verilmiştir. Organik arayüzeye sahip sadece bir fiziksel parametrenin değişimi ile değil aynı zamanda farklı bir fiziksel uyaran olan frekans ilgili diyot karakteristiği de incelenmiştir. Frekansa bağlı diyot parametrelerini incelemek üzere 5-5000 kHz aralığında iletkenlik, kapasite, seri direnç diyot parametreleri incelendi. Anahtar Kelimeler: Stachys Lavandulifolia, Fotodiyot, Arayüzey