Elektrobiriktirme yöntemi ile üretilen n-CdTe ve p-CdTe yarıiletkenlerin özelliklerinin incelenmesi

Solar hücre uygulamalarında kullanılan CdTe yarı iletken ince filmler, 1.45 eV'luk ideal bir bant boşluğuna ve yüksek foton soğurma katsayısına (5.1x105 cm-1) sahiptir. Solar hücre uygulamalarında p-CdTe / n-CdS yapısı kullanılmaktadır. Diğer yandan, n-CdTe ince filmlerin üretimi, daha verimli p-CdTe / n-CdTe / n-CdS yapısına sahip güneş pilini yapmak için önemlidir. Üç elektrotlu elektrokimyasal biriktirme yöntemi ile indiyum kalay oksit (ITO) kaplı cam yüzeylerde n ve p tipi CdTe ince filmleri üretilmiştir. 10 mM CdCl2, 20 mM Na2Te03 ve 200 mM LiCl sulu çözeltileri kullanılmış ve HC1 ile elektrolitin pH'ı ~2.0'a ayarlanmıştır. Döngüsel voltammetri kullanılarak Cd ve Te'un kaplanma potansiyelleri tespit edilmiştir. Biriktirme, n-tipi CdTe için -0,8 V'ta 120 sn yapılmıştır. p-tipi CdTe için biriktirme önce -0,4V'ta 40s daha sonra -0,6V'ta 100s süreyle yapılmıştır. ITO (indiyum kalay oksit) kaplı cam yüzey üzerinde üretilen CdTe (kadmiyum tellürid) ince filmlerinin elektrodepozisyonu oda sıcaklığında yapılmıştır. CdTe ince filmler elektron mikroskobu (SEM), Ultraviyole Görünür (UV-Vis) spektroskopisi, Mott-Schottky ölçümleri gibi bazı teknikler kullanılarak incelenmiştir.