X ışını kırınımı
Bu konu başlığı altında 70 tez
Sıcak presleme yöntemiyle hazırlanan Bi-2212 süperiletken malzemelerin elektriksel ve manyetik özelliklerinin incelenmesi
Katı hal tepkime yöntemiyle hazırlanan Bi2Sr2Ca1Cu1.75Na0.25Oy seramiklere birbirinden farklı sıcaklık ve basınç (22 ve 33 MPa 750 °C'de; 22 MPa 800 °C'de) altında sıcak pres işlemi uygulanmıştır. Süperiletken özellikler X-ışını kırınım (XRD), taramalı elektron mikroskobu (SEM), dc elektriksel özdirenç (R-T) ve manyetik histerezis (M-H) ölçümleri vasıtasıyla araştırılmıştır. X-ray kırınım ölçümlerinde tüm örneklerde Bi2CaO4 ve Bi3Sr4CaCu3O4 gibi ikincil safsızlık fazlarının oluşmasının yanında temel fazın Bi2Sr2Ca1Cu2Oy (Bi-2212) olduğu görülmektedir. En iyi tane yönelimi 750 °C'de 33 MPa basınç uygulanan örnekte elde edilmiştir. Örneklerin Tcoffset değerleri A, B, C örnekleri için sırasıyla 87.5, 85, 65 K olarak ölçülerek en yüksek Tcoffset değeri B örneğinde elde edilmiştir. Mikro yapısal özelliklerin gelişmesine bağlı olarak en geniş M-H eğrilerine B örneğinde ulaşılmıştır. Bu çalışma kapsamında en yüksek kritik akım yoğunluğu değeri, katı hal yöntemi ile hazırlanan benzer bileşime sahip örnekler için literatürde bildirilen değerlerden çok daha yüksek seviyede 750 °C'de 33 MPa uygulanarak hazırlanan B örneğinde (1.9 T ve 15 K'de 201.5 × 104 A / cm2) elde edilmiştir.
Düşük peletizasyon basıncı altında farklı bekleme sürelerinde Bi-2212 süperiletkenlerin sentez ve karakterizasyonu
Bu tezde BiSrCaCuO (BSCCO) süperiletken ailesinde Bi-2212 fazının, düşük peletizasyon basıncı altında farklı bekleme sürelerinin uygulanmasıyla değişen süperiletkenlik özellikleri incelenmiştir. Bu çalışma için en kararlı termodinamiksel yapıya sahip olduğundan dolayı BSCCO ailesinin Bi-2212 fazı tercih edilmiştir. Bu çalışmada Bi-2212 seramikler geleneksel katı hal reaksiyonu yöntemi kullanılarak hazırlanmış ve presleme aşamasında ise 114 MPa sabit peletizasyon basıncın da 12 saat ila 72 saat arasında değişen farklı bekleme süreleri uygulanmıştır. XRD grafiklerinden tüm örneklerin yüksek oranda Bi-2212 fazına sahip olduğu görülmüştür. Ayrıca ikincil faz olarak sadece Bi2CaO4 fazı tespitedilmiştir. Bu uygulanan peletizasyon basıncı literatüre göre düşük seçilmiş olsa bile yüksek termodinamik kararlılığı nedeniyle yüksek oranda Bi-2212 fazının oluşumu tüm örnekler de gerçekleşmiştir. SEM sonuçları, tüm örneklerin farklı tane boyutlarına sahip olmaları dışında, rastgele tane yönelimleri ve homojen faz oluşumu ile benzer tane morfolojisine sahip olduklarını göstermiştir. Tüm örnekler için M-T (manyetizasyon-sıcaklık) eğrisinden elde edilen Tc değerleri 77-82 K aralığında olup Bi-2212 fazının ideal oranlarda oluştuğunu göstermektedir. Hazırlanan örneklerin manyetik özellikleri M-H (Manyetik histerezis) ve manyetik Jc eğrileri (Bean modeli çerçevesinde hesaplanan kritik akım taşıma yoğunluğu) 15 K'de incelenmiştir. Bu çalışmada, 114 MPa sabit peletizasyon basıncı altında 12 saatlik bekletme süresinin, Bi-2212 fazı için en iyi süperiletkenlik özelliklerini ve en yüksek Jc değerlerini (T=15 K ve H=1.5 T'de 1.605 x 104 A/cm2) sağladığı bulunmuştur. Ayrıca örneklerin akı çivileme özelliklerini daha iyi incelemek için Jc ve B değerlerinden çivileme kuvvet yoğunluğu (Fp) hesaplanmıştır. Maksimum çivileme kuvveti (3.929 Oe A/cm2, T= 15 K ve H= 1.95 T), 114 MPa altında 12 saatlik bekleme süresine tabi olan örnekte elde edilmiştir.
Lantan oksit, neodimyum oksit, samaryum oksit ve kobalt nitrat katkılı çinko boratlı bileşiklerin lüminesans özellikleri
Tez çalışmasında sentezlenen bileşik Zn3B2O6 monokliniktir. Lantan oksit, neodimyum oksit, samaryum oksit ve kobalt nitrat katkılı çinko boratlı bileşiğinin optiksel özellikleri incelenmiştir. Bu bileşiklerin kristal yapıları XRD ile açığa kavuşturulmuştur. Sentezlenen bileşik 3ZnO + B2O3 Zn3B2O6 deki B2O3 mol miktarı %10, %20 ve %30'a artırılınca fotolüminesans (FL) şiddetinde bir azalma görülmüştür. Kırmızı ışık bölgesine denk gelen ışıldama 780 nm'de gerçekleşmiştir. Molce Co(NO3)3 %25 ve B2O3 %100 ve 4Zn0 %25 miktarından molce Co(NO3)3 %12.5 ve B2O3 %100 ve 4Zn0 %12.5 miktarlarına ve sonra molce Co(NO3)3 %2.5 ve B2O3 %100 ve 4Zn0 %2.5 miktarlarına azaltılınca 380 nm deki piklerin şiddetleri artmaktadır. 640 nm'de her üç spektrum kesişmekte, molce Co(NO3)3 ve 4Zn0 miktarları ¼ miktarında azaldıkça 780 nm ve 800 nm'deki piklerin şiddetleri ve genişlikleri artmıştır. Molce %2.5'dan %12.5'a Nd2O3 miktarı artırılınca mavi, yeşil ve kırmızı emisyonların kaynağı, sığ kusur seviyelerindeki elektronların valans bandındaki foto uyarılmış deliklerle rekombinasyonuna atfedilmiştir. Ultraviyole emisyon geçişleri ve mavi, yeşil ve kırmızı emisyon bandı Nd3+ iyon geçişinden kaynaklanmıştır. Molce %2.5'dan %12.5'a La2O3 miktarı artırılınca La3+ için uyarma bantları 405 - 419 - 438 - 465 - 479 - 544 - 554 nm'de görülmüştür. La3+'ün emisyon geçişleri, uyarılmış seviyeden daha düşük seviyelere tipik 4f geçişleridir. La3+'ün 564 - 599 - 646 nm olmak üzere üç emisyon geçişi görülmüş olup 599 nm geçişi parlak turuncu-kırmızımsı bir emisyondur. Molce %2.5'dan %12.5'a Sm2O3 miktarı artırılınca Sm3+ için uyarma spektrumları sırasıyla 390 nm, 527 nm ve 561 nm'dir. En yüksek geçiş 390 nm'de bulunmuştur. Emisyon spektrumlarını elde etmek için 563, 599, 645 ve 705 nm dalgaboylarında sarı, turuncu, turuncu-kırmızı ve kırmızı emisyon geçişlerine bağlı dört emisyon geçişi tespit edilmiştir. Geçişlerin emisyon pik gücü, Sm2O3 içeriğinin %2.5'dan %12.5 mol'e yükselmesiyle artmıştır. Sm2O3 içeriğinin artmasıyla Sm3+ iyonları arasındaki ana mesafe azalır ve bu da samaryum iyonları arasında enerji transferini artırır.
ZnS yarıiletken bileşiğinin spray pyrolysis yöntemi ile elde edilmesi
ÖZET Yüksek Lisans Tezi ZnS YARIİLETKEN BİLEŞİĞİNİN SPRAY PYROLYSIS YÖNTEMİ İLE ELDE EDİLMESİ EVREN ARABACI Anadolu Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Fizik Anabilim Dalı Danışman: Prof. Dr. Muhsin ZOR 2001, 80 sayfa Bu çalışmada II- VI grup ikili bileşiklerinden olan ZnS yarıiletken filmin elde edilme özellikleri incelenmiştir.ZnS yarıiletken filmi spray- pyrolysis yöntemi ile 275°C, 300°C, 335°C ve 425°C taban sıcaklıklarında elde edilmiştir. Belirtilen taban sıcaklığı için elde edilen filmlerin x-ışmı kırınım desenleri incelenerek ZnS yapısındaki filmin 425°C 'den daha düşük elde edilme sıcaklıklarında amorf yapıda ve bu değerde ise polikristal yapıya sahip olduğu belirlenmiştir. ZnS yarıiletken filminin optik özelliklerinin incelenmesi ile direkt band geçişine sahip olduğu ve elde edilme sıcaklığına göre 3,29eV-3,99eV arasında yasak enerji aralığının olduğu saptanmıştır. Elde edilen bütün filmlerin n-tipi iletkenlik gösterdiği belirlenmiştir.Taramalı elektron mikroskobu (SEM) görüntüleri yardımıyla oluşturulan filmlerin topografik yapısı incelenmiştir. 425°C 'den daha düşük taban sıcaklıklarında yüzeye iyi tutunamadıkları belirlenmiştir. Anahtar Kelimeler: II- VI Grup Bileşik Yarıiletkenler, Spray-Pyrolysis, Optik Absorpsiyon, X-Işını Kırınımı, Taramalı Elektron Mikroskobu (SEM)
Spray pyrolysis yöntemi ile elde edilen Zn ilaveli CuInS2 filmlerinin bazı fiziksel özellikleri
Bu çalışmada, CuInS2 yarıiletken bileşiği içerisine %10-50 arasında değişen oranlarda Zn ilave edilerek Cu(Zn)InS2 filmlerinin bazı fiziksel Özellikleri incelenmiştir. Filmler spray pyrolysis yöntemiyle 225-275 °C taban sıcaklıklarında elde edilmiştir. Elde edilen filmlerin p-tipi oldukları ve yasak enerji aralığı değerlerinin 1,51-2,70 eV arasında değiştiği belirlenmiştir. Temel absorpsiyon spektrumlarından geçirgenlik, yansıma, kırılma indisi, sönüm katsayısı ve dielektrik sabitleri grafikleri çizilmiştir. X-ışını kırınım desenlerinden filmlerin chalcopyrite ve hegzagonal yapıda oldukları saptanmıştır. Taramalı elektron mikroskobu (SEM) fotoğraflarından yüzey morfolojileri incelenmiştir ve filmlerin hemen hemen homojen yapıda oldukları görülmüştür. Anahtar Kelimeler: CuInS2, Yarıiletken, Spray Pyrolysis, Temel Absorpsiyon, Chalcopyrite
Püskürtme yöntemiyle elde edilen ZnS filmlerinin sandviç ve düzlemsel formlarda elektriksel özellikleri
Polikristal ZnS yarıiletken filmleri planar ve sandviç yapılarında amorf ve ZnO kaplı cam tabanlar kullanılarak püskürtme yöntemiyle elde edilmiştir. Üretilen ZnS filmleri wurtzite yapıda kristallenmiştir ve 3.62 eV değerinde direkt bant aralığına sahiptir. Numunelerin elektriksel özellikleri, akım voltaj karakteristikleri ve 40?300 K sıcaklık bölgesinde, farklı ısıtma hızlarında ısıl yolla uyarılmış akım ölçümü analizleri yardımıyla incelenmiştir. Isıtma hızı ß2=0.06 Ks-1 olmak üzere tuzaklardaki elektronların farklı başlangıç konsantrasyonları için elde edilen I(T) eğrileri, ZnS filmlerinin TSC eğrisinde gözlenen piklerin birincimertebeden özelliklere sahip olduğunu göstermektedir. ZnS filminin tuzak parametrelerini belirlemek için, eğri uyumu yöntemi kullanılmıştır. Tuzakların frekans faktörü ? , yakalama tesir kesiti S ve yoğunluğu Nt değerleri ZnS filmlerinin TSC eğrisinde gözlenen üç birinci-mertebeden pik için belirlenmiştir. Anahtar Kelimeler: Isıl Yolla Uyarılmış Akım, Tuzak Parametreleri, Sandviç Yapı, Çinko Sülfür, Püskürtme Yöntemi
Kimyasal depolama yöntemi ile elde edilen ZnS yarı iletken filmlerin yapısal, optik ve elektriksel özelliklerinin incelenmesi
Bu çalısmada, ZnS yarıiletken filmleri farklı depolama sürelerinde ve farklı depolama sıcaklıklarında bekletilerek cam alttabanlar üzerine kimyasal depolama yöntemiyle elde edilmistir. X-ısını kırınım desenlerinden elde edilen filmlerin amorf ve hekzagonal yapıda oldukları saptanmıstır. Absorpsiyon spektrumu ölçümlerinden filmlerin direkt bant aralıgına sahip oldugu ve yasak enerji aralıgının 3.85 eV ile 3.97 eV arasında degistigi belirlenmistir. IV ölçümlerinden ohmik iletim mekanizması gözlenmistir. Filmlerin elektriksel iletkenlik degerleri 9.1 10 10 ? s = x (cm)-1 ile 9 1.47 10? s = x (cm)-1 arasındadır. Elde edilen filmler 400 ºC'de bir saat tavlama islemine tabi tutulmus ve tavlamanın elektriksel iletkenlik üzerine etkisi arastırılmıstır. Sıcaklıga baglı akım ölçümlerinden aktivasyon enerjileri 0.01 eV ile 0.81 eV arasında bulunmustur. Anahtar Kelimeler: ZnS, Kimyasal Depolama Yöntemi, X-Isınları Kırınım Deseni, Optik Özellikler, Elektriksel Özellikler
Ultrasonik spray pyrolysis yöntemiyle elde edilen cdo yarıiletken mateyalinin flor katkısına bağlı olarak yapısal özelliklerinin incelenmesi
Bu çalışmada katkısız CdO ve değişen oranlarda flor katkılı CdO yarıiletken filmleri spray pyrolysis (püskürtme yöntemi) yöntemiyle, 250 °C taban sıcaklığında ve cam tabanlar üzerinde elde edilmiştir. Elde edilen katkısız ve flor katkılı CdO yarıiletken filmlerinin x-ışını kırınım desenleri ?=1,541 Å dalgaboyluCuK? ışınları kullanılarak 20° ? 2? ? 70° açı aralıklarında elde edilmiştir. Filmlerin kristal yapısının polikristal oldukları ve kübik NaCl yapıda oluştukları belirlenmiştir. Kristal tane boyutlarının 4,685-4,726 Å aralığında değiştiği hesaplanmıştır. CdO:F filmlerinin absorpsiyon spektrumları 190-900 nm dalgaboyu aralığında ve oda sıcaklığında elde edilmiştir. Filmlerin temel absorpsiyon spektrumlarından yararlanılarak direkt bant geçişli oldukları ve yasak enerji aralığı değerinin 2,38 ve 2,83 eV arasında değiştiği görülmüştür.
Cds/cuo heteroeklem yapının elde edilmesi ve fiziksel özelliklerinin incelenmesi
Bu çalışmada CdS ve CuO yarıiletken filmleri mikroskop ve flor katkılı kalay oksit kaplı cam tabanlar üzerine kimyasal banyo depolama yöntemi ile elde edilmiştir. X-ışını kırınım desenlerinden elde edilen CdS filmlerinin yüzey merkezli kübik ve CuO filmlerinin basit taban merkezli monoklinik yapıda oldukları belirlenmiş, örgü sabitleri, kristal tanecik boyutları, kristal yapıdaki sıkışmalar, gerilmeler ve dislokasyon yoğunlukları hesaplanmıştır. Filmlerin yasak enerji aralıklarının direkt bant geçişli oldukları belirlenmiş, cam ve FTO taban üzerine elde edilen CdS filmlerinin yasak enerji aralıkları sırasıyla 2,39 ve 2,35 eV, CuO filmleri için sırasıyla 1,61 ve 1,26 eV olduğu hesaplanmıştır. Filmlerin fotolüminesans ölçümlerinden tuzaklar tanımlanmıştır. Filmlerin yüzey morfolojisi analizleri atomik kuvvet mikroskobu ve alan emisyon taramalı elektron mikroskobu ile incelenmiştir. KBD yöntemiyle FTO taban üzerine p-CuO/n-CdS yapısı elde edilerek üzerine altın kontaklar buharlaştırılmıştır. Filmlerin elektriksel özelliklerinden tuzaklı yapıya sahip oldukları ve tuzak yoğunluklarının CdS ve CuO filmleri için sırasıyla 1,04×1021 ve 3,18×1025 m-3, tuzak enerji seviyelerinin CdS için 0,67 eV iletim bandının altında ve CuO filmi için 0,31 eV valans bandının üzerinde olduğu belirlenmiştir. C-V ölçümlerinde Vbi değeri CdS için 0,43 V ve CuO filmi için 0,68 V olarak hesaplanmıştır. G-f ölçümlerinden CdS filmindeki tuzakların yasak enerji aralığında düzgün olmayan dağılım gösterdikleri belirlenmiştir. FTO/p-CuO/n-CdS/Au yapısının I-V ölçümlerinden ideal diyot faktörünün 3,53 olduğu hesaplanmıştır.
Nikel oksit filmlerinin farklı yöntemlerle elde edilmesi ve bazı fiziksel özelliklerinin incelenmesi
Bu çalışmada, nikel oksit filmler kimyasal banyo depolama (CBD), ardışık iyonik tabaka adsorpsiyon ve reaksiyonu (SILAR), sol-jel döndürerek kaplama, ve ultrasonik püskürtme yöntemleri kullanılarak cam ve FTO kaplı cam altlıklar üzerine elde edilmiştir. Numunelerin bazı fiziksel özellikleri incelenmiştir. X-ışını kırınım desenlerinden elde edilen tüm NiO filmlerinin polikristal ve yüzey merkezli kübik yapıda oldukları belirlenmiştir. Tanecik boyutlarının filmleri elde etme yöntemi ve deney parametrelerine bağlı olarak 10- 33 nm arasında değiştiği belirlenmiştir. FT-IR ve Raman spektroskopileri kullanılarak elde edilen filmlerin yapısal özellikleri incelenmiştir. Numunelerin yüzey morfolojisi analizleri alan emisyon taramalı elektron mikroskobu (FESEM) ile incelenmiştir. Yüzey morfolojilerinin film elde etme yöntemi ve deney parametrelerine bağlı olduğu görülmüştür. CBD yöntemiyle elde edilen filmler nano flake ve nanosheet formunda iken diğer yöntemler elde edilen filmlerin küçük taneciklerle kaplı film yüzeyine sahip oldukları gözlenmiştir. Filmlerin yasak enerji aralıklarının direkt bant geçişli oldukları ve enerji aralıklarının yaklaşık 3,37 - 3,93 eV arasında değiştiği saptanmıştır. Elde edilen NiO filmlerinin elektrokimyasal davranışları dönüşümlü voltametri (CV) ile 0,3 M KOH çözeltisi içersinde analiz edilmiştir. Numunelerin elektrokromik uygulamalar için tekrar edilebilirliği ve tutarlılığı incelenmiştir.
Utilization of C-arm poses for 3D reconstruction of coronary artery tree from 2D X-ray angiograms
Cardiovascular diseases are the most common diseases in our age and are known to be the cause of one-third of the mortality rates in the world unless they are treated. The core priority for the treatment of these diseases is to make the correct diagnosis. Although there are lots of methods such as computer tomography angiography (CTA) and magnetic resonance angiography (MRA) in the diagnosis of cardiovascular diseases, the most used method for diagnosis is X-ray angiography. X-ray angiography images provide 2D vessel images and the next step for a complete diagnosis is that surgeons/doctors interpret these images through their experiences, make a diagnosis and determine the treatment method. Diseases maybe diagnosed easily by using the 3D representation of 2D XRA technology. There are several methods proposed for 3D reconstruction of coronary artery tree in literature, but they usually make use of analytical solutions. In this thesis, it has been studied to reconstruct 3D coronary artery vessels tree by using segmented 2D X-ray angiography images and the pose values of these images. In order to obtain a 3D coronary artery vessel, a fully connected convolutional neural network model in which we present the synthetically prepared segmented 2D X-ray vessel images and their pose values as in input is proposed and a 3D vessel image has been reconstructed by the network. This model has been introduced for the first time in the literature. The synthetic 3D vessels tree has been successfully reconstructed as a result of the tests performed with the segmented synthetic data.
Anortit faz üretimi ve endüstriyel uygulamaları
Malzeme bilimi alanındaki çalışmalarda, daha düşük sıcaklıklarda, daha düşük maliyetle, daha kullanışlı malzeme üretmek amaçlanmaktadır.Bu çalışmada anortit malzeme kalsit, kaolen, albit ve ortoklaz kullanılarak elde edilmeye çalışılmıştır. Bu amaçla öncelikle kalsit, groleg kaoleni ve Tavşanlı kaoleni ile belirli oranlarda karıştırılarak numuneler hazırlanmıştır. Hazırlanan numuneler 1000 ? C-1400 ? C sıcaklıklar arasında sinterlenmiştir. Bu numunelerin mukavemet, elastiklik, su emme ve küçülme değerlerine bakılmıştır. Bu değerlere göre 2 ve 5 numaralı numuneler diğerlerine nazaran daha iyi sonuçlar vermiştir. Bu nedenle 2 ve 5 numaralı numunelerin mineralojik incelenmeleri yapılmıştır. Anortit eldesi sağlanan 2 ve 5 numaralı reçeteler göz önünde bulundurularak yeni reçeteler hazırlanmıştır. Hazırlanan bu reçeteler 1000 ? C-1200 ? C arasında sinterlenmiştir. Yeni reçetelerin mukavemetlerinin biraz arttığı, su emmelerinin azaldığı ve küçülmelerinin de oldukça azaldığı gözlenmiştir.X reçetesinin endüstriyel uygulamasının yapılabileceği belirlenmiştir.Anahtar Kelimeler: Anortit, Beyazlık, Endüstriyel Uygulama, Kalsit, Kaolen, XRD.
Kimyasal püskürtme tekniği ile üretilen katkısız ve Ga katkılı CdO bileşiklerinin yapısal, optiksel ve elektriksel özellikleri
Bu çalışmada II-VI grup ikili bileşiklerinden olan CdO yarıiletken filmleri ultrasonik kimyasal püskürtme tekniği ile 275 ±5°C taban sıcaklığında üretilmiştir ve CdO yarıiletken filmlerinin fiziksel özelliklerine Galyum elementi katkısının (%2, %4, %6, %8) etkisi araştırılmıştır. Katkısız ve Ga katkılı CdO filmlerinin spektroskopik elipsometri ölçümlerinden kalınlıkları belirlenmiştir. Üretilen yarıiletken ince filmlerin kalınlıkları, 0.222?0.286 µm arasında değişmektedir. Elde edilen filmlerin X-ışınları kırınım desenlerinden elde edilen filmlerin yapısının polikristal ve yüzey merkezli kübik yapıda oldukları belirlenmiştir. Katkısız ve Ga katkılı CdO ince filmlerinin x-ışını kırınım deseninden yararlanarak a örgü sabiti değerlerinin 4.68248 ? ile 4.69052? arasında, tanecik büyüklüklerinin 220.2 ? ile 314.9 ? arasında ve dislokasyon yoğunluklarının 1.00845x10?3 (nm)?2 ile 2.06236 x10?3 (nm)?2 arasında oldukları hesaplanmıştır. Katkısız ve Ga katkılı CdO yarıiletken filmlerinin optik özellikleri incelenmiş, direkt bant geçişine sahip oldukları saptanmış ve ayrıca 2.50?2.66 eV arasında yasak enerji aralığının değiştiği belirlenmiştir. Filmlerin elektriksel iletkenlik ve özdirenç değerlerini belirlemek amacıyla, sırasıyla iki nokta prob metodu ve dört nokta prob metodu kullanılmıştır. Özdirençleri 0.2800x10?1?0.7437x10?2 ?.cm arasında, iletkenlileri ise 0.3571x101?1.3617x102 (?.cm) ?1 arasında değişmektedir.
Sodyum boratlardan magnezyum borat üretiminin araştırılması ve üretim parametrelerini etkileyen faktörlerin belirlenmesi
Bor başta cam, seramik, nükleer santraller olmak üzere 500?den fazla kulalnım alanına sahip önemli bir mineraldir. Doğada farklı oranlarda bor oksit (B2O3) içeren 230?ün üzerinde bor minerali mevcuttur. Dünya bor rezervinin %72,2?si Türkiye?de, %8,5?i Rusya?da ve %6,3?ü ABD?de yer almaktadır. Ülkemiz bor rezervinin büyük kısmına sahip olmasına rağmen magnezyum borat rezervi bakımından fakirdir. Yüksek ısı dayanımları, korozyon dirençleri, paslanmaya karşı dirençleri magnezyum boratların sanayinin birçok alanında kullanılabilme imkânlarının araştırılmasına yol açmıştır. Seramik endüstrisi, deterjan bileşimleri, süper-iletken malzeme üretimleri, hidrokarbon katalizörleri, sürtünmeyi azaltıcı katkı ve yağları üretimleri magnezyum boratların kullanıldığı başlıca alanlardır. Ayrıca borik asit (H3BO3) içermelerinden dolayı radyoaktif atıkların giderilmesinde de kullanılmaktadır. Bunların dışında magnezyum boratlar; süper iletken magnezyum diborürün üretilmesi, metal yüzeyleri için yalıtkan kaplama bileşimleri, ısıya duyarlı renk veren mürekkep bileşimleri, boyalarda korozyonu önleyici katkı olarak, kontakt lens yıkama sularında ve alev geciktiriciler gibi alanlarda da kullanılabilmektedir. Magnezyum boratlar hidrotermal ve termal yöntem olmak üzere başlıca iki farklı yöntemle üretilebilmektedir. Hidrotermal yöntemde bor ve magnezyum kaynakları sulu ortamda sıcaklık ısı etkisiyle reaksiyona sokulurken oluşan magnezyum boratlar kristal suludur. Ayrıca bu yöntem ile düşük sıcaklıklarda magnezyum borat kristalleri üretilebilir. Termal yöntemde ise yüksek sıcaklık fırını yardımı ile hava ortamında bor ve magnezyum kaynakları reaksiyona sokularak susuz magnezyum borat üretimi yapılır. Bu yüksek lisans tez çalışmasında magnezyum boratların hidrotermal yöntemle sentezi manyetik ve ultrasonik karıştırma kullanılarak yapılırken hammaddeler magnezum klorür hekzahidrat (MgCl2.6H2O), tinkalkonit (Na2B4O7.5H2O), boraks (Na2B4O7.10H2O), borik asit (H3BO3) ve bor oksit (B2O3) tir. Yapılan deneysel çalışmalar sonunda; hidrotermal yöntem, manyetik karıştırma ile ?01?076?540? XRD pdf kodlu Admontit [MgO(B2O3)3.7(H2O)], ?01?070?1902? XRD pdf kodlu Mkalisterit [Mg2(B6O7(OH)6)2.9(H2O)] sentezlendiği ortaya konmuştur. Hidrotermal yöntem, ultrasonik karıştırma ile sentezlenen magnezyum borat bileşiği de XRD pdf kodu ?01?076?540? olan Admontittir. Sentezlenen magnezyum borat bileşiklerinin FT-IR ve Raman spektrumları birbirlerine benzemektedir. Ayrıca magnezyum borat bileşiklerine ait karakteristik bantlar hem kızılötesinde hem de görünür bölgede elde edilmiştir. Bor oksit analizlerinin sonuçları literatür değerleri ile uygun çıkmıştır. SEM görüntülerine bakıldığında ise mikron ve nano boyutta minerallerin üretildiği görülmüştür. Anahtar Kelimeler: Admontit, mkalisterit, hidrotermal yöntem, magnezyum borat, manyetik karıştırma, ultrasonik karıştırma, XRD, FT-IR, Raman, SEM.
İnce yaygı CdS ve CdSe yarı-iletkenlerin optik ve yapısal özelliklerinin incelenmesi
Bu tez çalışmasında sırasıyla fiziksel vakum buharlaştırma (PVD-physical vapor deposition) ve kimyasal banyo yöntemleri (CBD-chemical bath deposition) ile üretilen grup II-VI kadmiyum selen (CdSe) ve kadmiyum sülfür (CdS) ikili bileşik yarı-iletken ince yaygılerin optik ve yapısal özellikleri Optik Soğurma, Foto-soğurma, Raman, X-ışınları kırınımı spektroskopisi (XRD), Taramalı Elektron Mikroskopisi (SEM) ve Atomik Kuvvet Mikroskopisi (AFM) yöntemleri ile araştırılmıştır. Deneysel sonuçlar etkin kütle varsayımı altında kuantum kuşatma etkisi, Urbach modeli, Mie saçılması, fonon kuşatması, Grüneisen modeli, Williamson Hall ve Warren Yaklaşımları, yayınım kontrollü büyüme kuramsal yöntemleri kullanılarak irdelenmiştir. Mo küvet içerisine konulan toz CdSe, küvet içinden geçirilen yüksek akım ile vakum altında buharlaştırılarak, 50 nm?den 450 nm?ye kadar farklı kalınlıklarda CdSe ince yaygılar cam altlıklar üzerinde büyütülmüştür. Kimyasal banyo yöntemi ile CdS ince yaygılar ise; sıcaklığı, pH?ı ve dakikada karıştırma hızı kontrol edilen ve esas olarak tiyoüre ve kadmiyum sülfatdan oluşmuş reaksiyon kabında, zamana bağlı olarak kaplama kalınlığının doğrusal arttığı varsayımı ile mikrometre mertebesinde çeşitli kalınlıklarda cam altlık üzerinde büyütülmüştür. Kimyasal banyo yöntemi ile büyütülen CdS ince yaygılarin, optik geçirgenlik ölçümlerinin ayrıntılı incelenmesi sonucu, yaygı kalınlığı arttıkça yasak kuşak enerji aralığının azaldığı ve uzun dalga boyu optik soğurma kuyruğunun daraldığı gözlemlenmiştir. Elde edilen ince yaygılara 250-400 ?C arasında ısıl işlem uygulanması ile yasak kuşak enerji aralığı artmaktadır. Büyümeyi kontrol eden bileşenin sülfür olduğu değerlendirilmiş ve aktivasyon enerjisi 46 kJ/mol olarak hesaplanmıştır. Optik soğurma kuyruk genişliğinin Urbach enerjisi ile orantılı olduğu ve kristal düzensizliğinden kaynaklandığı varsayımından haraketle kusurlardan kaynaklanan mikroelektrik alanlar altında bükülen kristalin enerji kuşakları için Wentzel Kramers ve Brillouin (WKB) yaklaşımı altında Schrödinger denklemi çözülmüş ve, mikro elektrik alanı ve kristal düzensizliği arasında doğru orantılı bir ilişki olduğu sonucu elde edilmiştir. İnce yaygı CdS?ün depolama süresi 10 dakikadan 150 dakikaya artarken, mikro elektrik alan 2240 kV/mm mertebesinden 820 kV/mm?ye, düzensizlik % 55?den % 35?e ve Urbach enerjisi 600 meV?dan 400 meV?a azalmaktadır. CdS ince yaygıların XRD deseni ölçülmüş, yapılan analiz sonucu kristal yapının kübik ve altıgen karışımı olduğu tespit edilmiştir. XRD ve Raman ölçümlerindeki kaymalardan sıkıştırma gerilme değerinin 10-3 mertebesinde olduğu görülmüştür. Fiziksel buharlaştırma yöntemi ile büyütülen CdSe ince yaygı yarı-iletklerin optik soğurma spektrumlarında, soğurmanın başladığı enerjinin artan yaygı kalınlığı ile kırmızıya kaydığı ve uzun dalga boyu soğurma kuyruğunun daraldığı gözlemlenmiştir. Optik soğurma spektrumlarından yaygı kalınlığı 50 nm?den 450 nm?ye artarken, Urbach enerjisinin 430 meV?dan 200 meV?a azalmaktadır. Büyütülen CdSe ince yaygı altıgen kristal yapıyı işaret eden XRD desenine sahiptir. XRD deseni esas olarak gerilme, sonlu kristal büyüklüğü (tane) ve cihaz hatasından kaynaklanan etkilerden dolayı genişlemektedir. Williamson Hall yaklaşımı ile bu etkiler birbirinden ayrılmış ve ortalama tane büyüklüğü için yaygı kalınlığının 50 nm?den 450 nm?ye değişmesiyle tane yarıçapının 6 nm?den 12 nm?ye arttığı ve gerilmenin çekme ve sıkıştırma karakterinde 10-3 mertebesinde olduğu sonucu elde edilmiştir. Bu sonuç Raman saçılması ölçümleri ile doğrulanmıştır. Gözlemlerimiz CdSe ince yaygıların Raman kiplerinin, artan yaygı kalınlığı ile 2 cm-1 dalga sayısı kadar kırmızıya kaydığını ortaya koymuştur. Raman titreşim kipleri, bileşimin değişmediği bir kristalde fonon kuşatması ve gerilme nedeni ile sırasıyla kırmızıya ve kırmızı/maviye kaymakta olduğu diğer araştırmacıların yaptıkları çalışmalardan ortaya çıkmıştır. Ayrıca yaygı kalınlığı 50 nm?den 450 nm?ye artarken (002) düzlemleri için gerilme değeri % 45 oranında azalmaktadır. Tez çalışmasına konu olan araştırmalar SCI kapsamındaki uluslar arası Semiconductor Science and Technology dergisinde 2011 yılında ve Materials Research Bulletin dergisinde 2013 yılında yayınlanmış olup bir diğer makale Solar Energy Materials ve Solar Cells dergisine 2013 yılında sunulmuştur. Tez çalışması YTÜ Bilimsel Araştırma Projeleri Koordinatölüğü (BAPK)?nün 26-01-01-01, 2011-01-01-DOP01 ve Devlet Planlama Teşkilatının 26-DPT-01-01-01 nolu projeleri ile desteklenmiştir.
Structural, physical, and mechanical properties of the (Cu-nano MgO) system by powder metallurgy method
The aim of this study was to prepare copper and MgO composites using powder metallurgy technique and to test the effect of nano MgO content on the structural, physical and mechanical properties of the composites. MgO was annealed in different percentages (2, 4, 6, 8, 10)% with copper percentages (98, 96, 94, 92, 90)%. The powders used were dried at 200 °C for one hour and after grinding and mixing for 2 hours, the samples were pressed and then thermally sintered in an oven at 900 °C for two hours. The results of the present study showed that copper can be strengthened using magnesium nanoparticles. Cu is a material that softens at high temperatures. By adding MgO to copper, it was observed that the material showed a different property and its hardness increased. Necessary tests such as apparent density, apparent density, microstructure, Vickers hardness, absolute porosity, EDS, water absorption, thermal conductivity, compressive strength and wear rate were performed. In addition, SEM (Scanning Electron Microscope) and XRD (X-Ray Diffraction) analyses were performed to find the structure of the material used.
Perovskite güneş pili için pld tekniği ile WO3katkılı InZnO filmlerinin fotovoltaik performansınıgeliştirme
This study investigated the effect of composing indium-zinc oxide IZO with tungsten oxide and prepared as a thin film by pulsed laser deposition technique on the characteristics of the deposited IZO thin films. The X-Ray Diffraction (XRD) shows to compose of the IZO with different ratios of WO3, causing the appearance of hybrid ZnO and WO3 phases. Doping with WO3 highly effect lattice constants, crystalline size, and lattice strain. The crystalline size reduced with increasing the WO3 to 15 %, while the opposite behavior appeared for the lattice strain and fluctuation of the lattice constants due to the incorporation of some of the W atoms within the ZnO lattice. The optical absorption is slightly increased, and the energy bandgap is reduced (from 2.8 to 2.1 eV) with the WO3 content. Hall Effect measurement shows that all films were n-type, charge carrier mobility decreased, while the mobility reduced, and the conductivity enhanced with WO3 content. The I-V characteristics of the ZnO/p-Si, IZO/p-Si and IZO: WO3/ p- Si heterojunction at different WO3 ratios show photovoltaic behavior. Here, with a 15% contribution, it is the sample with the highest efficiency (η=5.60%).
Study of some physical and mechanical properties of the flame thermal spray method to produce compounds with (AL-WC) system to protect turbine blades
The hardness test was carried out for both Porosity and adhesion strength at weight ratios % (5,10,15,20,25,30). Before conducting the sintering, the highest value of hardness was (153Hv) and the lowest value of porosity was (18%) and the highest value of adhesion strength was (23 MPa) were obtained at the percentage of reinforcement is (25%). Sintering at (1000°C) was carried out for two hours. Then the hardness, porosity and adhesive strength were retested, where we note the effect of sintering on each of the hardness, porosity and adhesion strength and the increase in the hardness value and adhesion strength to (178Hv) and (33 MPa), respectively. This test is resulted with a decrease in the porosity to (7%) and at the same reinforcement ratio of (25%). Also, X-ray diffraction (XRD) and scanning electron microscopy (SEM) were examined after sintering. You have the phases and these phases proved to us the improvement of the physical and mechanical properties of the material to reach the best at 25%. As for the SEM results, it was found that there was weakness and cracking in the coating layers at the low reinforcement ratios, while the physical and mechanical properties improved with the increase in the reinforcement ratios to reach the best at 25%.
Illumination of single crystal structure composed of thiazole and formamide groups by X-ray diffraction method
In this thesis study, N-(4-(3-(2.5-dimethylphenyl)-3-methylcyclobutyl)thiazol-2-yl)formamide the single crystal structure consists of some compound groups such as thiazole, cyclobutane, and formamide were synthesized and characterized by IR, 1H NMR, and 13C NMR techniques. The molecular structure of the single crystal structure consisting of compounds that have a common usage area was analyzed by the X-ray diffraction technique. The compound C17H20N2OS was found to be in the monoclinic crystal system and the P21/c space group. The unit cell parameters of the molecular structure were obtained at a= 6.5693(4) Å, b= 9.0779(7) Å, c= 25.7440(13) Å, α=γ= 90°, and β= 94.721(4)° from the X-ray diffraction results. When the bond parameters of the molecular structure were compared with similar studies, the bond parameters were found to be quite compatible. In the asymmetric unit, the molecular structure with the (x, y, z) symmetry code forms the chain forming structure by the dimeric form with the molecular structure with the (-x, -y, -z) symmetry code. There is an intermolecular hydrogen bond between the NH in the formamide group of the molecular structure and the N nitrogen atom in the thiazole ring. This N-H...N type strong hydrogen bond enables the molecular structure to form a dimeric structure, and with this bond, it creates stacking in space.
Illumination of single crystal structure composed of cyclobutane and thiazole compounds using X-ray diffraction method
In this thesis study, N-(4-(3-methyl-3-phenylcyclobutyl)thiazol-2-yl)formamide (C15H16N2OS) the single crystal structure consists of some compound groups such as thiazole, cyclobutene, and formamide groups were synthesized and characterized by IR, 1H NMR and 13C NMR techniques. The molecular structure of the single crystal structure consisting of compounds that have a common usage area was analyzed by the X-ray diffraction technique. The compound C15H16N2OS was found to be in the monoclinic crystal system and the P21/c space group. The unit cell parameters of the molecular structure were obtained at a= 8.7592(7) Å, b= 5.7800(3) Å, c= 27.251(2) Å, α=γ= 90°, and β= 93.388(6)° from the X-ray diffraction results. When the bond parameters of the molecular structure were compared with similar studies, the bond parameters were found to be quite compatible. In the asymmetric unit, the molecular structure with the (x, y, z) symmetry code forms the chain forming structure by the dimeric form with the molecular structure with the (2-x, 1-y, -z) symmetry code. There is an intermolecular hydrogen bond between the NH in the formamide group of the molecular structure and the N nitrogen atom in the thiazole ring. This N-H...N type strong hydrogen bond enables the molecular structure to form a dimeric structure, and with this bond, it creates stacking in space.
Plasmonic enhancement in molecular fluorescence of natural curcumin dye with silver nanoparticles: Synthesis & biological application
In this study, silver nanoparticles were prepared using the liquid pulse laser ablation technique. The effect of adding curcumin at certain concentrations to silver nanoparticles on the optical and structural properties was inspected by spectroscopic techniques, X-ray diffraction (XRD), and field emission scanning electron microscopy (FESEM). The infrared results and biological activity of silver nanoparticles and curcumin were investigated on two types of bacteria. The results indicated that the increase in curcumin concentration was the reason for the improvement of visual properties. Increasing the surface plasmon resonance intensity for silver nanoparticles resulted in increased formation of nanoparticles and improved fluorescence. The vibrational frequency in the region of 2927 cm-1 belongs to the aromatic C–H group, and this result confirms that curcumin acts as a covering agent. X-ray diffraction studies of silver nanoparticles and a hybrid of silver nanoparticles and curcumin were performed. The X-ray diffraction results of silver nanoparticles were proven that the crystal system is cubic and polycrystalline, and several angles that are completely identical to the international standard cards for silver were recorded. In this thesis we studied the biological application on two types of bacteria (E. coli, Staphylococcus aureus) and the results showed that the highest bacterial inhibition was in the hybrid sample.
Nano gümüş yapıların kimyasal işlemler ile hazırlanması ve karakterizasyonu
Bu çalışmada, kimyasal indirgeme yöntemi kullanılarak gümüş nanoyapılar hazırlanmıştır. Oluşturulan gümüş nanoparçacıkları yaklaşık 20 nm çaplarda hazırlanmıştır. Ayrıca UV-Vis absorpsiyon spektrometresi, Transmisyon Elektron Mikroskobu (TEM), Taramalı Elektron Mikroskobu (SEM) ve X-ışını kırınımı (XRD) gibi optik ve yapısal çalışmaları incelemek için çok sayıda teknik kullanılmıştır. Pratik sonuçlar, hazırlanan nanopartiküller absorpsiyon spektrumu (357 nm) ile gözlenmiştir. Optik absorpsiyon piklerinin konumları ile gümüş nanoparçacıkların boyutu arasında bir ilişki olduğu belirlenmiştir. TEM sonuçlarının analizi, 20 nm aralığında nanoparçacıkların varlığını gösterir. XRD sonuçlarının analizi ile gümüş nanoparçacıkların kristal yapısı incelenmiştir. Bir kübik birim hücrenin kafes sabitlerine (a=4.0855 Å) sahip olduğu, Miller indekslerinin (111), (022), (002) ve (113) olduğunu belirlenmiştir.
Türkiye'de çıkartılan dumanlı kuvars, mavi kalsedon ve agat'ın optik ve elektrik özelliklerinin incelenmesi
Bu çalışmada, jeolojik oluşum ve ekolojik denge sonucu yığılmalarla meydana gelmişolan Aydın-Koçarlı bölgesindeki dumanlı kuvars, Eskişehir-Sarıcakaya bölgesindeki mavikalsedon ve Eskişehir-İnönü bölgesindeki agat örneklerinin optik ve elektrik özellikleriincelenmiştir. Dumanlı kuvars, mavi kalsedon ve agat örneklerinin, optik, elektrik ve yapısalözellikleri; ICP-AES, XRD, VIS-NIR bölgelerinde optik soğurma, termolüminesans ilemikrodalga frekans bandında dielektrik analiz teknikleri kullanılarak araştırılmıştır.ICP-AES analizlerinde, içeriğinde yüksek oranlı (%98,3 - %89,8 - %91,2) SiO2 elementibulunan örneklerde, düşük oranlarda Fe2O3, Al2O3, CaO, MgO elementleri ile çeşitli oranlardaNi, Cr, Sr, Ba, Co gibi nadir toprak elementleri, karakteristik özellikler olarak ortaya çıkmıştır.VIS bölgesinde yapılan optik soğurma bandlarında, Fe elementi ile spesifik olarak Ni ve Crnadir toprak elementlerinin, örnek renk oluşumlarına katkı sağladığı söylenebilir.900 Gray X ışınlamasından sonra örnekler üzerinde yapılan TL analizlerinde, dumanlıkuvars ve mavi kalsedon örneklerinde 111 ? C ile 103 ? C `de 0,9 ? 1,0 eV arasında değişentuzak derinliğinde birer adet TL parıldama eğrisi gözlenirken, agat örneğinde 144 ? C ve371,4 ? C `de yaklaşık 0,4 ? 0,45 eV arasında değişen tuzak derinliğinde iki adet TL parıldamaeğrisi gözlenmiştir. Bu sonuçlara göre agat örneğinin, diğer örneklere göre daha fazla tuzaksayısına veya kusurlu yapıya sahip olduğu söylenebilir.Örneklerin mikrodalga X band frekans aralığındaki elektrik özellikleri incelendiğinde,her bir örneğin gerçek dielektrik (yalıtkanlık) değerleri, sırasıyla ortalama 5,08 , 4,59 ve 4,74olarak tespit edilmiştir. Bu değerler, literatür taramasındaki tipik SiO2 yapısında gözlenendielektrik değerleriyle örtüşmektedir. Yalıtkanlık kaybı olarak da isimlendirilen sanal dielektrikdeğerleri ise kuvars'ta 0,77, mavi kalsedon' da 0,22 iken agat örneğinde 3,84 değerindedir.Agat örneğindeki 3,84 değerindeki yalıtkanlık kaybı, su veya hidroksil moleküllerinin örnekkompozisyonunda yoğun olmasından kaynaklanabilecek iyonik iletkenlikle açıklanabilir.ICP-AES analizleri sonucunda, %3,84 ile %4,39 su veya hidroksil oranına sahip olanmavi kalsedon ve agat örneklerine eş zamanlı olarak termal analizler (TGA/DTA) yapılmıştır.Termal analizlerde mavi kalsedon örneğinde su veya hidroksil kaybının neden olduğu ağırlıkkaybı 1084,57 ? C 'de %3,07 iken, agat örneğinde 808 ? C `de %37,78 olarak gözlenmiştir.NIR bölgesinde yapılan optik soğurma spektrasındaki 5195-5216 cm-1 kayma değerleriiçin su moleküllerinin temel eğilimi ile OH hidroksil gerilmesine bağlı bileşimlerin,7017-7027 cm-1kayma değerleri için serbest ve hidrojen bağlı silanol grupların varlığından söz edilebilir.Agat örneğinin, TL tuzak yapısı, elektrik özellikleri, NIR bölgesindeki soğurmakarakteristiği ve TGA/DTA termal davranışları incelendiğinde, kompozisyonunda su veyahidroksil moleküllerine bağlı kusur yapılarının yoğun olarak ortaya çıktığı görülmüştür.Agat örneğindeki su içerikli kusurlu yapının bölgesel olarak daha ayrıntılı tanımlanabilmesi içinilk önce mikro raman spestrokopi ile eş zamanlı olarak uzaysal ayırmalı CL analizleri vedevamında zaman ayırmalı CL analizleri yapılmıştır.Agat örneğindeki mikro-raman ölçümlerinde465 cm-1 ve 501 cm-1 kayma değerlerindekuvvetli kuvars ve moganite pikleri görülmüştür. Oda sıcaklığındaki uzaysal ayırmalıkatodolüminesans ölçümleri, seçilen üç farklı alanda kayıt edilmiştir. %100 SiO2 içeren grialanda en düşük CL emisyonu gözlenirken, %99,7 SiO2 ve %0,3 Fe2O3 içerikli kahverengialanda gözlemlenen 643 nm değerindeki yüksek CL emisyonuna, moganitçe zengin alanlardakisilanol grubunun yüksek konsantrasyonunun neden olabileceği gösterilebilir.%98,7 SiO2 ve %1,3Al2O3 içerikli dış beyaz alanda 317 nm ve 380 nm 'de UV bandlar,437 nm ve 458 nm `de keskin mavi bandlar, 643 nm `de ise kırmızı band olmak üzere toplamdabeş adet CL emisyonu gözlemlenmiştir. 317 nm `deki emisyon köprülenmeyen oksijen boşluk(NBOHC) merkezleriyle ve 380 nm `deki emisyon, kafesteki büyük miktarlı alüminyumtarafından üretilen [AlO4] ?? / H+ merkezleriyle ilgilidir. 458 nm `deki emisyon, oksijen boşluğu veperoxy bağlantılarından oluşan tuzaklanmış uyartımların yeniden birleşmesinden dolayıdır.( ? Si ? O ? O ? Si ? ). Kahverengi bölgede gözlenen 643 nm `de ki kırmızı band CL emisyonu,dış beyaz alanda gözlenen 643 nm `deki kırmızı band CL emisyonundan daha yüksektir.643 nm `deki yüksek emisyon, muhtemelen moganite yapısındaki çok yüksek konsantrasyonlusilanol gruplarla ilişkilendirilebilir.Agat örneği üzerindeki zaman ayırmalı CL verileri toplandığında, yaklaşık 496 nm `dedüşük yoğunluklu yeşil band, 600 nm yoğunlukta turuncu band ve 670 nm yoğunlukta kırmızıband olmak üzere üç geniş band emisyonu görülmüştür. 670 nm `deki CL emisyonu, hidroksilveya alkali içeriği ile O2 (super 3-) ve E'1 merkezleri arasındaki ilişkilere dayandırılabilir. AgatCL spektrumunda dikkat çeken bir diğer özellikte, yaklaşık 600 nm `de merkezlenmiş turuncuemisyon bandının varlığıdır. Sarı CL emisyon bandının fazla oluşu ve E'1 merkezlerin yüksekkonsantrasyonu, asidik volkanik işlemler tarafından oluşan agat formu için tipik bir göstergedir.
Kemererit'in karakterizasyonu ve lüminesans özelliklerinin incelenmesi
Bu çalışmanın amacı kemererit mineralinin karakterizasyonu ve lüminesans özelliklerinin incelenmesidir. Bu amaç doğrultusunda Erzincan Kop Dağı bölgesinden çıkarılan kemereritin optiksel soğurma spektrumları ve lüminesans ışıma eğrileri alınmıştır. Termolüminesans (TL) ölçümleri öncesinde mineral, üzerindeki doğal radyasyon etkisini silmek amacıyla ısıtılmıştır. Farklı dozlarda X- ışınına maruz bırakılan numunenin 50-400 oC sıcaklık aralığında TL spektrumu alınmıştır. Kemereritin katodolüminesans (CL) spektrumu 300 K de 24 keV enerjiye sahip elektron demeti kullanılarak 250-800 nm aralığında incelenmiştir.. Ayrıca soğurma, TL ve CL ölçümlerinin yanı sıra taramalı elektron mikroskobu (SEM), X-ışını kırınımı (XRD) ve Enerji dağılımlı X-ışını spektroskopisi (EDS) analizleri yapılmıştır. Bu analizler sayesinde kemereritin karakterizasyonu hakkında detaylı bilgi elde edilmiştir.SEM fotoğraflarıyla da triklinik yapıya sahip olduğu görülen kemererit minerali ile alınan TL spektrumunda 102, 148, 224, 305 oC de TL pikleri elde edilmiştir. Numunenin oda sıcaklığında alınan CL spektrumunda elektromanyetik spektrumun kırmızı bölgesinde (698 nm) geniş bir emisyon bandı gözlenmiştir. Optiksel soğurma spektrumunda, kemereritin 1200, 1330, 1420 ve 1720 nm'de belirgin soğurma bandlarına sahip olduğu görülmüştür. XRD ve EDS analizleriyle kemereriti oluşturan elementler tayin edilmiştir.Yapılan literatür çalışmasına göre, kemererit mineraline ait termolüminesans ve optiksel soğurma özellikleri ve karakterizasyon analizlerini içeren bir envantere rastlanmamıştır. Bu açıdan, yapılan çalışmanın böyle bir envanterin oluşturulmasına bir katkı sağlayabileceği düşünülmektedir.Anahtar Kelimeler: Kemererit, Termolüminesans, Katodolüminesans, Optiksel Soğurma, SEM, XRD,EDS